[發(fā)明專利]熱處理裝置和熱處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910169418.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101661874A | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿部洋;高橋喜一;佐藤純彌;本館良信 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 劉新宇;陳立航 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種例如在將半導(dǎo)體晶圓(semiconductor?wafer) 等基板以架狀保持在基板保持用具上并進(jìn)行規(guī)定的熱處理的垂 直熱處理裝置(vertical?heat?treatment?apparatus)中通過(guò)基板輸 送單元將基板傳送到上述基板保持用具的技術(shù)。
背景技術(shù)
作為半導(dǎo)體制造裝置之一,存在對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體晶圓(以下稱 為“晶圓”)一并(成批)進(jìn)行熱處理的垂直熱處理裝置。例如,如 圖11所示,該垂直熱處理裝置構(gòu)成為具備搬入搬出區(qū)域,通過(guò) 移載裝置11將載體(carrier)內(nèi)的晶圓移載到以架狀保持多個(gè)晶 圓1的晶圓舟(wafer?boat)12,將該晶圓舟12搬入到未圖示的熱 處理爐內(nèi),由此同時(shí)對(duì)多個(gè)晶圓1進(jìn)行規(guī)定的熱處理,其中,上 述搬入搬出區(qū)域?qū)ν獠堪崛氚岢鋈菁{有多個(gè)晶圓的未圖示的上 述載體。
上述移載裝置11具備基座13和叉(fork)14,例如通過(guò)五個(gè)叉 14在載體與晶圓舟12之間成批地輸送并移載五個(gè)晶圓1,其中, 該基座13構(gòu)成為升降自由、大致繞鉛垂軸轉(zhuǎn)動(dòng)自由、大致在水 平方向上移動(dòng)自由,該叉14構(gòu)成為沿著該基座13進(jìn)退自由,用 于保持多個(gè)例如五個(gè)晶圓1。例如,如圖11、圖12所示,作為上 述晶圓舟12使用以下結(jié)構(gòu):在多個(gè)支柱15上以上下隔著規(guī)定間 隔的狀態(tài)設(shè)置多個(gè)用于保持晶圓周緣部的保持部16(參照?qǐng)D 12),并且在這些上下相鄰的保持部16之間設(shè)置環(huán)(ring)部件17。
另一方面,在上述載體中,通過(guò)未圖示的保持部以上下相 鄰的晶圓之間隔著規(guī)定間隔的狀態(tài)保持晶圓的周緣部,例如, 如圖12(a)所示,將五個(gè)叉14分別插入到被保持在載體或晶圓舟 12上的晶圓1的下方側(cè)的空間,接著使各個(gè)叉14上升,使晶圓1 從上述保持部浮出而在各個(gè)叉14上接受晶圓1,接著,使叉14 后退,由此從上述載體或晶圓舟12接受晶圓1。然后,通過(guò)移載 裝置11朝向要移載的對(duì)象輸送晶圓1。
另外,在上述晶圓舟12中,為了提高處理的吞吐量 (throughput),要求搭載盡可能多的晶圓1,存在一種使晶圓舟 12上的晶圓的排列間距更窄的趨勢(shì)。特別是,在如上所述那樣 使環(huán)部件17介于上下相鄰的晶圓1之間的類型的晶圓舟12中,存 在晶圓1的間距間隔被限定為10mm的晶圓舟,使晶圓1和環(huán)部件 17介于該狹窄間隔內(nèi),因此使叉14進(jìn)入(退出)晶圓1與環(huán)部件17 之間時(shí),叉14與環(huán)部件17之間的上下方向上的間隙(clearance) 被限定為1mm。另一方面,使用石英作為晶圓舟12的材質(zhì)的情 況較多,但是在工序溫度例如超過(guò)1000℃的情況下,受到該熱 影響,晶圓舟12的形狀發(fā)生變化,有可能上述間隙與示教 (teaching)時(shí)不同。這種形狀變化的主要原因可列舉出以下情 況,認(rèn)為隨著工序次數(shù)增加,這種主要原因累積,形狀變化的 程度逐漸變大:在熱膨脹后的晶圓舟12被充分冷卻之前,開始 下一個(gè)處理,由此熱變形沒(méi)有恢復(fù)為原來(lái)的狀態(tài)而再次受到熱 影響;環(huán)部件17大于晶圓,因此容易受到熱影響,由于自重而 導(dǎo)致降到設(shè)定位置以下等。
并且,當(dāng)上述間隙與示教時(shí)不同時(shí),如圖12(b)所示,在通 過(guò)叉14進(jìn)行晶圓1的移載時(shí),有可能晶圓1與叉14相接觸而晶圓1 表面形成損傷,或者叉14與環(huán)部件17相接觸而無(wú)法進(jìn)行移載作 業(yè)。
另外,在專利文獻(xiàn)1中記載有以下結(jié)構(gòu):在具備了在上下 方向上將多個(gè)被處理體保持多段的基板保持用具以及將被處理 體移載到該基板保持用具的移載機(jī)構(gòu)的垂直熱處理裝置中,對(duì) 反饋給用于驅(qū)動(dòng)移載機(jī)構(gòu)的馬達(dá)的位置、速度、電流的信息進(jìn) 行監(jiān)視,將該信息與預(yù)先設(shè)定的正常驅(qū)動(dòng)時(shí)的信息進(jìn)行比較, 當(dāng)檢測(cè)出異常驅(qū)動(dòng)時(shí)停止驅(qū)動(dòng)上述移載機(jī)構(gòu)。然而,該技術(shù)是 移載機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)中存在異常時(shí)的處理方法,并沒(méi)有設(shè)想在基板 保持用具側(cè)發(fā)生異常時(shí)的情況,因此無(wú)法解決本發(fā)明的問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-251088號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
本發(fā)明是鑒于這種情形而完成的,其目的在于提供一種在 通過(guò)基板輸送單元將基板傳送到以架狀保持多個(gè)基板的基板保 持用具時(shí)能夠預(yù)先防止保持臂與基板之間的接觸、保持臂與基 板保持用具之間的接觸的技術(shù)。
用于解決問(wèn)題的方案
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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