[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910169152.3
• 申請日: 2003-09-05
• 公開（公告）號: CN101661940A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高松知廣;三浦壽良;中村光宏;立花宏俊;小室玄一
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通微電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L23/52;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭曉東;馬少東

1.一種半導(dǎo)體裝置，具有：

強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；

層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；

布線，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，

上述半導(dǎo)體裝置的特征在于，

上述布線具有Ir膜或者Pt膜。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有形成在上述布線上的TiN膜。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜及上部電極；

在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上形成層間絕緣膜的工序，該層間絕緣膜相對于上述下部電極具有多個(gè)接觸孔；

在上述層間絕緣膜上形成布線的工序，該布線經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，

上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，

形成上述布線的工序包括形成Ir膜或者Pt膜的工序。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述布線的工序包括：

形成原料膜的工序，該原料膜由Ir或者Pt構(gòu)成；

通過300℃以上的干式蝕刻對上述原料膜進(jìn)行圖形成形的工序。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行上述干式蝕刻時(shí)，使用含有鹵素氣體和O₂的氣體作為蝕刻氣體，并使得上述蝕刻氣體中的上述鹵素氣體的比例小于等于0.4，其中，該鹵素氣體為Cl₂或者HBr。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述布線的工序包括：

形成原料膜的工序，該原料膜由Ir或者Pt構(gòu)成；

在上述原料膜上形成TiN膜的工序；

使用抗蝕劑掩模對上述TiN膜進(jìn)行圖形成形，從而形成硬質(zhì)掩模的工序；

除去上述抗蝕劑掩模的工序；

使用上述硬質(zhì)掩模對上述原料膜進(jìn)行圖形成形的工序。