[發明專利]半導體器件的接觸件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910169150.4
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN101673726A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 金明洙
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

相關申請的交叉引用

本申請要求申請日為2008年9月11日的韓國專利申請No.10-2008-0089839的優先權，其全部內容通過參考援引于此。

技術領域

本發明涉及一種半導體中的接觸件及其制造方法，尤其涉及一種半導體器件中用于防止通過接觸插塞(contact?plug)生成和流入(influx)噪音的接觸件及其相應的制造方法。

背景技術

通常，半導體器件是通過諸如氧化、蝕刻和離子注入等數個不同的工藝來制造的。為了連接由不同工藝生成的多個半導體層，可以形成接觸孔和接觸插塞。

接觸孔可以由光刻工藝形成。光刻工藝可以使用掩模并通過對覆蓋在晶片上的感光層進行光學曝光和顯影來進行，其中在所述掩模上同源地(homologously)形成將要被蝕刻的圖案。然后，可以蝕刻由顯影后的感光層暴露的區域。

通過蝕刻形成的接觸孔可以被諸如鎢(W)或銅(Cu)等金屬填充，并且通過這種方式形成的金屬填充物被稱為接觸插塞。接觸孔和接觸插塞用于電連接下布線和上布線。由于接觸孔可以形成為圓形孔，因此接觸插塞將具有圓柱體形狀。

在使用高頻模擬信號的半導體器件(例如RF傳輸器件)中，大量的電子噪音會通過接觸插塞生成或流入。例如，流經接觸插塞的電流會產生不想要的電磁波，而所述電磁波成為布線上圍繞在接觸插塞周圍的噪音。此外，接觸插塞還可能從外界吸收各種電磁波，從而會使噪音流入連接到接觸插塞的布線中。

發明內容

為克服現有技術缺陷，本發明的實施例涉及一種半導體中的接觸件及其制造方法，尤其涉及一種半導體器件中用來防止通過接觸插塞生成和流入噪音的接觸件及其相應的制造方法，其中所述接觸插塞連接不同層中的布線。

根據實施例，提供了一種半導體器件的接觸件，其包括：形成在半導體襯底上方的下布線，覆蓋下布線的絕緣層，通過絕緣層連接到下布線的接觸插塞，環繞(encircle)至少部分接觸插塞的導電管(絕緣層在導電管和接觸插塞之間延伸)，以及形成在絕緣層上并連接到接觸插塞的上布線。

根據實施例，提供了一種制造半導體器件的接觸件的方法，包括如下步驟：在半導體襯底上方形成下布線，形成中間絕緣層以覆蓋下布線，在中間絕緣層上方形成感光圖案，蝕刻中間絕緣層中被感光圖案暴露的部分以形成接觸孔和管孔(所述管孔圍繞接觸孔的外環邊緣而形成)，用金屬填充接觸孔和管孔以形成接觸插塞和導電管，在接觸插塞和導電管上方形成上絕緣層，以及在上絕緣層上方形成上布線，且上布線連接到接觸插塞。

根據本發明實施例的半導體器件的接觸件及其制造方法，通過在電連接上布線、下布線的接觸插塞的外環邊緣上方形成圍繞接觸插塞并連接到接地布線的導電管，由接觸插塞生成的噪音就不會傳送到外界，而且外界的噪音也不會流入接觸插塞。所以，在使用高頻模擬信號的半導體器件(諸如RF傳輸器件)中，本發明實施例能夠防止由半導體器件上的噪音引起的各種負面影響。

附圖說明

示例性圖1A是根據實施例的半導體器件的接觸件的剖視圖。

示例性圖1B是沿著示例性圖1A中的線I-I切割的半導體器件的接觸件的俯視圖。

示例性圖2是根據實施例的半導體器件的接觸件的制造方法的流程圖。

示例性圖3A-圖3I是根據實施例的半導體器件的接觸件的制造方法的剖視圖。

示例性圖4是根據實施例為了形成接觸件而在掩模和晶片上形成的圖像的俯視圖。

示例性圖5A示出一步光蝕刻工藝的概念。

示例性圖5B示出兩步光蝕刻工藝的概念。

具體實施方式

示例性圖1A是根據實施例的半導體器件的接觸件的剖視圖，示例性圖1B是沿著示例性圖1A中的線I-I切割的半導體器件的接觸件的俯視圖。

如示例性圖1A和圖1B所示，半導體器件的接觸件100可以包括：基底絕緣層110，形成在基底絕緣層110上方的下布線120，形成在下布線120上方的下絕緣層130，形成在下絕緣層130上方的接地布線140，形成在接地布線140上方的中間絕緣層150，通過中間絕緣層150形成的接觸插塞160，通過中間絕緣層150連接到接地布線140同時與接觸插塞160同軸的導電管170，形成在中間絕緣層150上方的上絕緣層180，以及形成在上絕緣層180上方并與接觸插塞160相連接的上布線190。