[發明專利]半導體器件的接觸件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910169150.4
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN101673726A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 金明洙
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種裝置，包括：

下布線，形成在半導體襯底上方；

絕緣層，覆蓋所述下布線；

接觸插塞，通過所述絕緣層連接到所述下布線；

導電管，環繞至少部分所述接觸插塞，所述絕緣層在所述導電管和所述接觸插塞之間延伸；以及

上布線，形成在所述絕緣層上方并連接到所述接觸插塞。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述導電管的長度比所述接觸插塞的長度短。

3.如權利要求1所述的裝置，其中由所述絕緣層將所述導電管的下部與所述下布線分開。

4.如權利要求1所述的裝置，其中由所述絕緣層將所述導電管的上部與所述上布線分開。

5.如權利要求1所述的裝置，其中接地布線形成在部分所述絕緣層上方并連接到所述導電管。

6.如權利要求1所述的裝置，其中所述導電管由鎢、銅和鋁其中之一形成。

7.一種方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上方形成下布線；

形成中間絕緣層以覆蓋所述下布線；

在所述中間絕緣層上方形成感光圖案；

蝕刻所述中間絕緣層中被所述感光圖案暴露的部分以形成接觸孔和管孔，所述管孔圍繞所述接觸孔的外環邊緣形成；

用金屬填充所述接觸孔和所述管孔以形成接觸插塞和導電管；

在所述接觸插塞和所述導電管上方形成上絕緣層；以及

在所述上絕緣層上方形成上布線，所述上布線連接到所述接觸插塞。

8.如權利要求7所述的方法，包括：

在形成所述下布線的步驟和形成所述中間絕緣層的步驟之間，在所述下布線上方形成下絕緣層；以及

在部分所述下絕緣層上方形成接地布線，其中所述接地布線被所述中間絕緣層覆蓋。

9.如權利要求8所述的方法，包括：

在蝕刻步驟之后，在所述管孔的下部形成絕緣層，使得在使用金屬填充所述接觸孔和所述管孔的步驟之后，所述接觸插塞連接到所述下布線，而所述導電管形成為與所述下布線分開。

10.如權利要求8所述的方法，包括：

在形成所述上絕緣層的步驟之后，蝕刻所述上絕緣層中對應于所述接觸插塞的部分以消除此部分，使得所述上布線連接到所述接觸插塞并與所述導電管分開。

11.如權利要求8所述的方法，其中所述導電管連接到所述接地布線。

12.如權利要求7所述的方法，其中形成所述感光圖案的步驟包括使用具有第一矩形圖案和第二矩形圖案的掩模，所述第二矩形圖案圍繞所述第一矩形圖案并與所述第一圖案分開。

13.如權利要求7所述的方法，包括形成多個接觸插塞和導電管、下布線和上布線，其中相鄰的接觸插塞中心之間的最小間隔定義所述接觸孔的步距。

14.如權利要求13所述的方法，其中形成所述感光圖案的步驟包括：如果所述接觸孔的步距大于200nm，則在一個步驟中形成所有的感光圖案。

15.如權利要求13所述的方法，其中形成所述感光圖案的步驟包括：如果所述接觸孔的步距小于200nm，則通過多個步驟依次形成所述感光圖案。