[發(fā)明專利]減少接觸電阻影響的測試焊點(diǎn)設(shè)計(jì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910168067.5
• 申請(qǐng)日: 2009-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN101661924A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董易諭;羅增錦;李建昌;邵志杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L23/52;G01R31/27
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所
• 代理人: 馬鐵良

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)與在2007年3月30日申請(qǐng)的，并且，其標(biāo)題為“高精確度通用片上切換矩陣測試線”(High?Accuracy?and?Universal?On-Chip?Switch?MatrixTestline)的普通轉(zhuǎn)讓的美國專利申請(qǐng)系列號(hào)11/731,444的專利申請(qǐng)相關(guān)，因此，該申請(qǐng)?jiān)谶@里一起被引用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及到集成電路的制造，尤其涉及到晶片的驗(yàn)收測試，更加涉及到減少測試焊點(diǎn)的接觸電阻的影響。

背景技術(shù)

集成電路(IC)制造商正在以日益減小的尺寸和相應(yīng)的技術(shù)，來制造較小的、高速度的半導(dǎo)體器件。隨同這些要求的提升，維持產(chǎn)量和生產(chǎn)能力的挑戰(zhàn)也已經(jīng)增加。

半導(dǎo)體晶片通常包括通過劃片槽相互分隔開管芯(或芯片)。在晶片里的各芯片包括電路，并且，管芯用踞分割，然后，單獨(dú)封裝。在半導(dǎo)體制造工藝中，在晶片(例如，集成電路)上的半導(dǎo)體器件，必須按照選定的規(guī)定步驟或者在結(jié)束時(shí)進(jìn)行測試，以保持和確保器件的質(zhì)量。通常，測試電路隨同實(shí)際的器件在晶片上同時(shí)制造。典型的測試方法提供多個(gè)測試焊點(diǎn)(通常稱為工藝控制監(jiān)視焊點(diǎn)，或者PCM焊點(diǎn))，測試焊點(diǎn)位于表面的劃片槽上。選取測試焊點(diǎn)以測試晶片的不同的性能，例如電壓、驅(qū)動(dòng)電流、泄漏電流等。

圖1說明測試線10，其可以被形成在晶片的劃片槽中，并且，可以包括比圖1中所示的更多或更少的測試焊點(diǎn)(即：TP1到TP10)。測試焊點(diǎn)TP1到TP10的每一個(gè)被連接到將要被探測的器件的節(jié)點(diǎn)(或電路)。例如，測試焊點(diǎn)TP1到TP4可以被用于探測連接到晶體管的源、漏、柵和襯底。

部分測試方案被表示在圖2中，其被用于測試(探測)晶體管22。晶體管22的漏24被連接到測試焊點(diǎn)TP1。傳感-測量-裝置(SMU)12，通過用節(jié)點(diǎn)14標(biāo)記的探針，被連接到測試焊點(diǎn)TP1。電阻Rc表示在探針和測試焊點(diǎn)TP1之間的接觸電阻。SMU12具有被連接到放大器18的輸出的施加節(jié)點(diǎn)16，以及被連接到放大器18的負(fù)輸入的傳感節(jié)點(diǎn)20。為了測試晶體管22，SMU12試圖施加一個(gè)電壓，例如1V，到晶體管22的漏24，并且，通過晶體管22的電流I被檢測。

由于接觸電阻Rc，施加在晶體管22的漏24上的電壓被減小。例如，如果接觸電阻Rc是30Ohms，并且，電流I是1mA，那么，在接觸電阻Rc上的電壓降是30mV。當(dāng)在測試點(diǎn)14處的電壓是1V時(shí)，施加到漏24上的電壓降低到0.97V，這與所需電壓的有百分之3的偏移。于是，傳感電流被偏移，這就導(dǎo)致對(duì)晶體管22的性能的錯(cuò)誤評(píng)估。

對(duì)于具有大約1μm的柵寬度和大約0.04μm的柵長度的32nm標(biāo)稱的器件來說，傳感性能的偏移可以達(dá)到大約百分之10。更糟糕的是，接觸電阻Rc受到各種因素的影響，例如，探測晶片的等待時(shí)間、探針板的過度使用、和探針板的質(zhì)量。結(jié)果，接觸電阻可能在寬范圍內(nèi)變化，使得很難補(bǔ)償探頭的不準(zhǔn)確度。于是，本技術(shù)領(lǐng)域需要一種可以克服現(xiàn)有技術(shù)不足的傳感方案和結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

按照本發(fā)明的一個(gè)方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體晶片中的集成電路器件；和在半導(dǎo)體晶片的上表面上的并且連接到集成電路器件的多個(gè)測試焊點(diǎn)。測試焊點(diǎn)成對(duì)分組，多個(gè)測試焊點(diǎn)的每一對(duì)的測試焊點(diǎn)相互連接。

按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括：包含有第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片；在第一和第二半導(dǎo)體芯片之間的劃片槽；在劃片槽中的測試線；和在測試線中的第一、第二、第三和第四測試焊點(diǎn)。第一和第二測試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第一對(duì)。第三和第四測試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第二對(duì)。

按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，集成電路探測器件包括：多個(gè)傳感-測量-裝置，其每一個(gè)包括施加節(jié)點(diǎn)；和電連接到施加節(jié)點(diǎn)的傳感節(jié)點(diǎn)。集成電路探測器件進(jìn)一步包括探針板，探針板包含有多個(gè)成對(duì)的探針。每一對(duì)探針包括連接到施加節(jié)點(diǎn)的第一探針，和連接到傳感節(jié)點(diǎn)的第二探針，其中，施加節(jié)點(diǎn)和傳感節(jié)點(diǎn)是多個(gè)傳感-測量-裝置中的相同的一個(gè)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括減少在探針和測試焊點(diǎn)之間的接觸電阻的影響。因此，探測精確度得到改善。

附圖說明

為了更加全面地了解本發(fā)明和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在，結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中：

圖1示出常規(guī)技術(shù)的具有多個(gè)測試焊點(diǎn)的測試線；

圖2示出常規(guī)技術(shù)的測試方案，其中，傳感-測量-裝置的施加節(jié)點(diǎn)和傳感節(jié)點(diǎn)被連接到將要被探測的器件的節(jié)點(diǎn)；