[發(fā)明專利]超薄封裝工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910167313.5
• 申請日: 2009-08-13
• 公開（公告）號: CN101996889A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石磊;汪利民;趙良
• 申請（專利權(quán)）人: 萬國半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張靜潔;王敏杰

1.一種超薄封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：刻蝕；

對引線框架(1)進行頂部刻蝕，形成載片臺(3)和若干引腳(4)；該刻蝕步驟并未將引線框架腐蝕穿，該引線框架(1)的底部仍保有完整的金屬基面；

步驟2：貼片；

將芯片(2)貼附在載片臺(3)上；

步驟3：金屬連接；

用金屬導(dǎo)體(5)連接芯片(2)和引腳(4)；

步驟4：塑封；

將芯片(2)、載片臺(3)和引腳(4)包封在塑封體(6)內(nèi)，而引線框架(1)的金屬基面露出于塑封體(6)的底部；

步驟5：研磨；

對引線框架(1)的底部進行研磨，研磨至塑封體(6)和金屬基面的交界處，完全去除底部的金屬基面后，繼續(xù)研磨一定厚度，確保載片臺(3)和引腳(4)之間完全分隔；

步驟6：電鍍；

在載片臺(3)和引腳(4)的底部鍍上金屬層(8)；

步驟7：切割；

對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，形成若干獨立的器件。

2.如權(quán)利要求1所述的超薄封裝工藝，其特征在于：所述的步驟5和步驟6之間，還包含步驟：

使用退火烘烤或者表面微刻蝕的方法釋放研磨應(yīng)力。

3.如權(quán)利要求1所述的超薄封裝工藝，其特征在于：所述的步驟5還包含對塑封體的頂部進行研磨的步驟：

將塑封體的頂部研磨除掉一部分，研磨的厚度可根據(jù)實際尺寸預(yù)先計算，以不露出連接芯片和引腳的金屬導(dǎo)體為適宜。

4.如權(quán)利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于：

所述的步驟3中的金屬導(dǎo)體(5)為金屬線，或金屬片，或金屬帶。

5.如權(quán)利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于：

所述的步驟6中的金屬層(8)為錫層。

6.如權(quán)利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于：

所述的步驟6中的金屬層(8)為金層。