[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 200910167084.7
• 申請日: 2009-08-19
• 公開（公告）號: CN101656265A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 洪祥睦;李在一;李根洙
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;馬翠平

1.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基底；

像素電極，設置在基底上；

像素限定層，設置在基底上，具有暴露像素電極的開口；

有機發射層，設置在像素電極上；

共電極，設置在有機發射層和像素限定層上；

其中，在共電極中圍繞像素限定層的開口中的一個形成電極切口，以電 隔離共電極的一部分。

2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中，電極切口形成在 像素限定層上。

3.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其中，像素限定層包括 對應于電極切口的溝道。

4.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其中，像素限定層在電 極切口和像素電極之間延伸。

5.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，所述有機發光二極管顯 示器還包括數據線、共電源線、源電極和漏電極，

其中，數據線、共電源線、源電極和漏電極中的至少一個設置在電極切 口和基底之間。

6.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中，設置在電極切口 內的有機發射層不發光。

7.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中，有機發射層還形 成在像素限定層和共電極之間，通過在形成有電極切口的像素區上沿著電極 切口切割有機發射層來形成有機層切口。

8.一種有機發光二極管顯示器的制造方法，包括以下步驟：

在基底上形成像素電極；

在基底上形成像素限定層，像素限定層具有分別暴露像素電極的開口；

在像素電極上形成有機發射層；

在有機發射層上形成共電極，以形成完成的有機發光二極管；

檢測有機發光二極管中有缺陷的有機發光二極管；

在共電極中形成電極切口，電極切口圍繞開口中與有缺陷的有機發光二 極管對應的開口，以電隔離共電極的一部分。

9.如權利要求8所述的制造方法，其中，電極切口形成在像素限定層上。

10.如權利要求9所述的制造方法，其中，形成電極切口的步驟包括： 通過切割設置在電極切口下的像素限定層與電極切口一起形成溝道。

11.如權利要求9所述的制造方法，其中，在電極切口和像素電極之間 設置有像素限定層。

12.如權利要求9所述的制造方法，所述制造方法還包括形成數據線、 共電源線、源電極和漏電極，

其中，數據線、共電源線、源電極和漏電極中的至少一個設置在電極切 口和基底之間。

13.如權利要求8所述的制造方法，其中，有缺陷的有機發光二極管不 發光。

14.如權利要求8所述的制造方法，其中：

形成有機發射層的步驟包括在像素限定層和共電極之間形成有機發射 層；

形成電極切口的步驟包括在對應于電極切口的有機發射層中形成切口。

15.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基底；

像素電極，設置在基底上；

像素限定層，設置在基底上，具有暴露像素電極的開口；

有機發射層，設置在像素電極上；

共電極，設置在有機發射層和像素限定層上，

其中，在共電極和有機發射層中形成切口，以電隔離共電極的一部分和 有機發射層的對應的部分，從而使顯示器的有機發光二極管失效。

16.如權利要求15所述的有機發光二極管顯示器，其中，在像素限定層 中形成對應于切口的溝道。