[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 200910167084.7 | 申請日: | 2009-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN101656265A | 公開(公告)日: | 2010-02-24 |
| 發明(設計)人: | 洪祥睦;李在一;李根洙 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;馬翠平 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。
背景技術
OLED顯示器包括發射光的有機發光二極管(OLED)。當電子和空穴相 結合形成的激子由激發態向基態衰減時發射光。OLED顯示器利用產生的光 來產生圖像。
因此,OLED顯示器具有自發光特性,并且和液晶顯示器(LCD)相比, 因為不需要單獨的光源,所以OLED顯示器的厚度可減少且重量可減輕。另 外,因為OLED顯示器具有低功耗、高亮度和高反應速度,所它理想地適于 用在移動電子裝置中。
OLED顯示器使用多個像素顯示圖像,且OLED包含在每個像素中。通 常,OLED包括有機發射層、空穴注入電極和電子注入電極。當電流提供給 空穴注入電極和電子注入電極時,有機發射層發射光。
然而,在制造過程中,在一些像素中可能出現亮點故障。亮點故障是指 與數據信號和柵極信號無關OLED持續發光的狀態。如所描述的,由于亮點 故障而總是發光的像素在圖像中作為亮點能被使用者輕易地察覺。也就是說, 亮點故障的發生降低了OLED顯示器的質量。
通常,當制造了包括亮點故障的像素的OLED顯示器時,使用激光使該 像素失效。然而,這樣的修理過程可能破壞外圍的數據線、公共線和/或其它 電極。
發明內容
本發明的各個方面提供了一種使亮點故障的修理變得容易的有機發光二 極管(OLED)顯示器及制造該OLED顯示器的方法。
根據本發明示例性實施例的OLED顯示器包括:基底,包括多個像素區; 像素電極,設置在每個像素區中;像素限定層,形成在基底上,具有分別暴 露像素電極的多個開口;有機發射層,形成在像素電極上;共電極,形成在 有機發射層和像素限定層上。電極切口形成在共電極中,以電隔離共電極的 一部分。
根據本發明的示例性實施例,電極切口可以形成在像素限定層上。像素 限定層可以包括沿著電極切口形成的溝道。在電極切口和像素電極之間可以 設置有像素限定層。
根據本發明的示例性實施例,OLED顯示器還可以包括數據線、共電源 線、源電極和漏電極。數據線、共電源線、源電極和漏電極中的至少一個可 以設置在電極切口下。
根據本發明的示例性實施例,在形成有電極切口的像素區中的有機發射 層可以不發光。有機發射層可以形成在像素限定層和共電極之間,并且有機 層切口可以通過沿著電極切口切割有機發射層來形成。
根據本發明的另一個示例性實施例,一種OLED顯示器的制造方法包括 以下步驟:在基底的每個像素區中形成像素電極;在基底上形成像素限定層, 像素限定層具有分別暴露像素電極的多個開口;在像素電極上形成有機發射 層;通過在有機發射層上形成共電極完成多個OLED;查找有缺陷的OLED; 通過切割對應于有缺陷的OLED的像素區中的共電極來形成電極切口。電極 切口可以圍繞像素限定層的對應的開口。
根據本發明的示例性實施例,電極切口可以形成在像素限定層上。形成 電極切口的步驟可包括在像素限定層中形成設置在電極切口下的溝道。像素 限定層可以設置在電極切口和像素電極之間。
根據本發明的示例性實施例,制造方法還包括形成數據線、共電源線、 源電極和漏電極。數據線、共電源線、源電極和漏電極中的至少一個可以設 置在電極切口之下。
根據本發明的示例性實施例,有機發射層形成在對應于電極切口的像素 區中。該有機發射層可以不發光。
根據本發明的示例性實施例,該制造方法還包括在像素限定層和共電極 之間形成有機發射層。形成電極切口的步驟可以包括通過沿著電極切口切割 有機發射層與電極切口一起形成有機層切口。
根據本發明,OLED顯示器的亮點故障可以穩定地變成黑點,從而提高 了顯示質量。
本發明另外的方面和/或優點將在下面的描述中部分地闡明,部分地通過 描述是顯而易見的,或者可以通過本發明的實施而獲知。
附圖說明
通過結合附圖進行的示例性實施例的以下描述,本發明的這些和/或其他 方面和優點將變得清楚和更易于理解,其中:
圖1是根據本發明第一示例性實施例的有機發光二極管(OLED)顯示 器的布局圖;
圖2是沿著圖1中的線II-II截取的剖視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





