[發明專利]濺射靶、光信息記錄介質用薄膜及其制造方法

有效

• 申請號: 200910166726.1
• 申請日: 2004-02-03
• 公開（公告）號: CN101650955A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 細野秀雄;植田和茂;矢作政隆;高見英生
• 申請（專利權）人: 日礦金屬株式會社
• 主分類號: G11B7/257
• 分類號: G11B7/257;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 樊衛民;郭國清

本申請是申請日為2004年2月3日、申請號為200480005976.2(國際申請號為PCT/JP2004/001051)、發明名稱為“濺射靶、光信息記錄介質用薄膜及其制造方法”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及在通過濺射而形成膜時可進行直流(DC)濺射，濺射時的打火少，能減少由此產生的粒子(発塵)及球狀夾雜物，且能高密度地、質量的偏差少地提高量產性的濺射靶、用該靶獲得的光信息記錄介質用薄膜(特別是用作保護膜)及其制造方法。

背景技術

近幾年，作為不需要磁頭就可讀寫的高密度光信息記錄介質的高密度記錄光盤技術正在被開發，并且愈來愈受到關注。該光盤分為ROM(read-only)型、R(write-once)型、RW(rewritable)型3種，特別是RW型中使用的相位變化方式受到關注。以下簡單說明使用該相位變化型光盤的記錄原理。

相位變化型光盤是通過激光的照射使基板上的記錄薄膜加熱升溫，使該記錄薄膜的構造上出現結晶學的相位變化(非結晶結晶)而進行信息的記錄·重放，具體而言，是檢測相間的光學常數的變化所引起的反射率的變化來進行信息的重放。

上述相位變化是通過聚斂為數百nm～數μm的程度的直徑的激光的照射來進行的。在該場合，例如1μm的激光束以10m/s的線速度通過時，光照射在光盤的某點上的時間為100ns，要在該時間內進行上述相位變化和反射率的檢測。

還有，在實現了上述結晶學的相位變化即非結晶和結晶的相位變化之后，不僅在記錄層上，而且要對周邊的電介質保護層、鋁合金反射膜反復進行加熱和速凍。

這樣，相位變化光盤就成為以硫化鋅-二氧化硅(ZnS·SiO₂)系的高熔點電介質保護層夾著Ge-Sb-Te系等的記錄薄膜層的兩側，再設置鋁合金反射膜的四層構造。

其中，反射層和保護層除了要使記錄層的非結晶部和結晶部的吸收增大，具有反射率的差大的光學功能以外，還要求記錄薄膜具有耐濕性、防止因熱而變形的功能，還要有記錄時控制熱條件的功能(參照雜志「光學」26卷1號9～15頁)。

這樣，高熔點電介質保護層就具有抵抗由于反復進行升溫和冷卻所引起的熱應力的性能，而且不使這些熱影響到反射膜及其它地方，且其自身又薄，具有低反射率及不變質的韌度。在該意義上電介質保護層具有重要的作用。

上述電介質保護層通常采用濺射法來形成。該濺射法所采用的原理是，使由正電極和負電極構成的基板和靶相對，在惰性氣體氛圍氣下在它們之間施加高電壓而產生電場，此時，電離了的電子和惰性氣體碰撞而形成等離子體，該等離子體中的陽離子與靶(負電極)表面碰撞，撞出靶原子，該飛出的原子附著在相對的基板表面上而形成膜。

以前，一般而言，主要用于改寫型的光信息記錄介質的保護層的ZnS-SiO₂由于在光學特性、熱特性、對記錄層的密接性等方面具有出色的特性而廣為使用。可是，改寫型的DVD除了要求激光波長短之外，還強烈要求改寫回數增加、大容量化、高速記錄化，因而以前的ZnS-SiO₂在特性上不夠完美。

作為光信息記錄介質的改寫回數等劣化的原因之一，例如有來自ZnS-SiO₂的硫成分向被ZnS-SiO₂夾著而配置的記錄層材的擴散。還有，為了大容量、高速記錄化而把具有高反射率、高熱傳導特性的純Ag或Ag合金用作反射層材料。

該反射層也是與作為保護層材的ZnS-SiO₂相接而配置的，不過，由于來自ZnS-SiO₂的硫成分的擴散，純Ag或Ag合金反射層材料就會腐蝕劣化，成為引起光信息記錄介質的反射率等特性劣化的主要原因。

為防止該硫成分擴散，在反射層和保護層、記錄層和保護層之間設置了把氮化物和炭化物作為主要成分的中間層，不過，由于積層數增加，吞吐量就會下降，成本就會增加，這是其問題。

為了解決上述問題，就要尋找與保護層材ZnS-SiO₂同特性而不含ZnS的材料。還有，SiO₂還易于使膜率降低，產生異常放電，因而最好不添加。