[發(fā)明專利]濺射靶、光信息記錄介質(zhì)用薄膜及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910166726.1 | 申請日： | 2004-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN101650955A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 細(xì)野秀雄;植田和茂;矢作政隆;高見英生 | 申請（專利權(quán)）人： | 日礦金屬株式會社 |
| 主分類號： | G11B7/257 | 分類號： | G11B7/257;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 樊衛(wèi)民;郭國清 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濺射 信息 記錄 介質(zhì) 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種使用濺射靶形成的光信息記錄介質(zhì)用保護(hù)膜，其中，
所述濺射靶，用于形成光信息記錄介質(zhì)用保護(hù)膜，把以滿足下式的氧化鋅為主要成分的化合物作為主要成分：A、B分別為不相同的3價及以上的陽性元素，其價數(shù)分別為Ka、Kb時，AXBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m，1＜m，X≤m，0＜Y≤0.9，X+Y＝2，且A為銦，相對密度為90％及以上，靶內(nèi)的鋅以外的陽性元素的偏差的范圍為0.5％及以內(nèi)，靶內(nèi)的密度的偏差的范圍為3％及以內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)用保護(hù)膜，其特征在于，與反射層或記錄層鄰接來使用。
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