[發明專利]對準標記布局和對準標記結構

有效

• 申請號: 200910166692.6
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN101908526A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 劉安雄;黃浚彥;謝明宏
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

技術領域

本發明涉及對準標記布局和對準標記結構，尤其是關于一種改善對準對比度(alignment?contrast)的對準標記布局和對準標記結構。

背景技術

集成電路是由許多形成在半導體基板上的電路元件以及多層堆疊在基板上方的介電層與金屬內連線所構成。不同層的金屬內連線由金屬插塞(plug)所電連接，以形成特定的電路功能。在集成電路工藝中，光學光刻技術是一種用來將光掩模上的電路圖案轉移至光阻層，以在晶片上定義出圖案的精密圖案轉移技術。隨著集成電路的設計線寬縮小以及集成度不斷提高，在對光阻層進行曝光步驟時，晶片對準精確度(alignment?accuracy)就顯得相當重要。

通常，材料層的對準利用步進機來完成，通常會由步進機射出一具有固定波長的光源，如激光，來偵測位于晶片上的對準標記的位置，前述的激光在照射到對準標記之后會發生反射或繞射的現像，之后反射或繞射的激光被偵測器偵測之后，即可以由此調整晶片和光掩模之間的相對位置。

一般而言，反射或繞射的激光的品質取決于對準標記的結構，例如：對準標記的材料、對準標記的階梯高度和對準標記的尺寸。

然而，在進行晶片上進行電路元件制作時，對準標記的完整性經常會被破壞，舉例而言，在化學機械拋光工藝后，對準標記的階梯高度可能會被磨平或是高度被降低。再者，若是有較厚金屬層或是較厚的多晶硅層或是其它不透光的材料形成在對準標記上，將會造成偵測器無法偵測到對準標記的位置。綜合而言，當對準標記的反射性不佳或是階梯高度不足時，對準標記將會難以偵測，并且當有其它材料層放置在對準標記上時，亦會影響偵測器的偵測結果。

傳統上，有許多解決上述的方式，例如：在舊的對準標記附近形成新的對準標記，或是在進行化學機械拋光工藝之前，利用光阻保護對準標記。

然而，傳統的作法既耗時又浪費空間，因此，需要設計一種不占空間的對準標記并且能夠提供良好的對準對比度。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種對準標記布局和對準標記圖案來增加對準對比度和對準精確度。

根據本發明的優選實施例，本發明提供一種對準標記布局，包含：

第一對準圖案，包含多條相互平行的第一條狀結構，該第一對準圖案設于基底上，其中各這些第一條狀結構各包含第一尺寸；以及第二對準圖案，設于該第一對準圖案上并且與該第一對準圖案重疊，該第二對準圖案包含多條相互平行的第二條狀結構，其中各這些第二條狀結構各包含第二尺寸，其中各這些第二條狀結構的該第二尺寸大于各這些第一條狀結構的該第一尺寸。

根據本發明的另一優選實施例，本發明提供一種對準標記結構，包含：第一反射層，設于基底上；透明材料層，設于該反射層上；對準圖案，設于該透明材料層上。

根據本發明的優選實施例，本發明的對準圖案具有一特別的布局，位于前層的對準圖案的寬度小于位于當層的對準圖案的寬度。根據本發明的另一優選實施例，使用本發明的對準標記結構時，介于當層的對準圖案的表面和位于基底上的反射層的表面之間的距離，即定義為對準圖案的階梯高度。

附圖說明

圖1為本發明的對準標記布局的俯視示意圖。

圖2為根據本發明的第一優選實施例所繪示的圖1中的對準標記布局沿A-A方向的側視示意圖。

圖3為根據本發明的第二優選實施例所繪示的圖1中的對準標記布局沿A-A方向的側視示意圖。

圖4為根據本發明的第三優選實施例所繪示的對準標記結構的側視示意圖。

圖5為根據本發明的第四優選實施例所繪示的對準標記結構的側視示意圖。

附圖標記說明

10????對準標記布局???????????12????第一對準圖案

14????第一條狀結構???????????15????反射層

16????第二對準圖案???????????17????第一材料層

18????第二條狀結構???????????20????基底

21????第二材料層?????????????50????對準標記結構

55????反射層?????????????????57????透明材料層

58????矩形突出物/溝槽圖案????60????基底

62????反射層

具體實施方式