[發明專利]對準標記布局和對準標記結構

有效

• 申請號: 200910166692.6
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN101908526A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 劉安雄;黃浚彥;謝明宏
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種對準標記布局，其特征在于包含：

第一對準圖案，包含多條相互平行的第一條狀結構，該第一對準圖案設于基底上，其中各這些第一條狀結構各包含第一尺寸；以及

第二對準圖案，設于該第一對準圖案上并且與該第一對準圖案重疊，該第二對準圖案包含多條相互平行的第二條狀結構，其中各這些第二條狀結構各包含第二尺寸，其中各這些第二條狀結構的該第二尺寸大于各這些第一條狀結構的該第一尺寸。

2.如權利要求1所述的對準標記布局，其特征在于各這些第一條狀結構為矩形，并且各這些第二條狀結構為矩形。

3.如權利要求2所述的對準標記布局，其特征在于各這些第一條狀結構各包含第一寬度，并且各這些第二條狀結構各包含第二寬度，該第二寬度大于該第一寬度。

4.如權利要求3所述的對準標記布局，其特征在于該第一寬度為1.2微米并且該第二寬度為1.6微米。

5.如權利要求2所述的對準標記布局，其特征在于各這些第一條狀結構各包含第一邊緣，并且各這些第二條狀結構各包含第二邊緣，其中該第一邊緣和該第二邊緣之間包含一距離。

6.如權利要求5所述的對準標記布局，其特征在于該距離不小于200納米。

7.如權利要求1所述的對準標記布局，其特征在于這些第二條狀結構包含反射材料。

8.如權利要求7所述的對準標記布局，其特征在于該反射材料系選自下列組：多晶硅、金屬、碳、金屬硅化物和氮化硅。

9.如權利要求1所述的對準標記布局，其特征在于這些第二條狀結構位于一第一材料層上。

10.如權利要求9所述的對準標記布局，其特征在于各這些第二條狀結構為形成在第二材料層中的溝槽圖案，其中該第二材料層位于該第一材料層上。

11.如權利要求9所述的對準標記布局，其特征在于該第一材料層實質上是透明的。

12.如權利要求11所述的對準標記布局，其其特征在于這些第二條狀結構為突出物并且形成在該第一材料層上。

13.如權利要求1所述的對準標記布局，其特征在于反射層覆蓋各這些第一條狀結構，并且該反射層延伸到該基底的一表面。

14.如權利要求13所述的對準標記布局，其特征在于在該反射層的表面和各該第二條狀結構的上表面之間具有一階梯高度。

15.如權利要求13所述的對準標記布局，其特征在于該反射層選自下列組：多晶硅、金屬、碳、金屬硅化物和氮化硅。

16.如權利要求1所述的對準標記布局，其特征在于透明材料層設置在該第二對準圖案和該第一對準圖案之間。

17.如權利要求16所述的對準標記布局，其特征在于該透明材料層包含氧化硅。

18.一種對準標記結構，其特征在于包含：

第一反射層，設于基底上；

透明材料層，設于該反射層上；以及

對準圖案，設于該透明材料層上。

19.如權利要求18所述的對準標記結構，其特征在于該第一反射層選自下列組：多晶硅、金屬、碳、金屬硅化物和氮化硅。

20.如權利要求18所述的對準標記結構，其特征在于該透明材料層包含氧化硅。

21.如權利要求18所述的對準標記結構，其特征在于該對準圖案包含多條矩形突出物，并且這些矩形突出物具有反射性。

22.如權利要求21所述的對準標記結構，其特征在于該第一反射層的表面和各該矩形突出物的上表面之間具有一階梯高度。

23.如權利要求18所述的對準標記結構，其特征在于該對準圖案包含形成在第二反射層中的多個溝槽圖案，并且該第二反射層設于該透明材料層上。

24.如權利要求23所述的對準標記結構，其特征在于在該第二反射層的表面和該第一反射層的表面之間具有一階梯高度。

25.如權利要求23所述的對準標記結構，其特征在于該第二反射層選自下列組：多晶硅、金屬、碳、金屬硅化物和氮化硅。