[發(fā)明專利]十字吹掃閥和容器組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910166641.3
• 申請日: 2009-08-24
• 公開（公告）號: CN101654171A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設計）人: C·M·伯特徹;T·A·斯泰德爾;J·E·巴克
• 申請（專利權）人: 氣體產(chǎn)品與化學公司
• 主分類號: B65D83/00
• 分類號: B65D83/00;H01L21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉 鍇;韋欣華

相關申請的交叉引用

本專利申請要求2008年8月22日提交的美國臨時專利申請 No.61/091,155的權益。

技術領域

本發(fā)明涉及一種用于存儲和分配高純度工藝化學制劑的容器和 閥-十字吹掃組件。

發(fā)明背景

半導體制造工業(yè)中在標準溫度和壓力，例如環(huán)境條件下的 存儲和分配中使用一系列在固相、液相和氣相中的化學制劑?；谒鼈? 的化學結構，以及它們是否為其純凈的形式或者被包含在溶劑中，這些 化學制劑可以具有在很大程度上變化的蒸氣壓和粘度。

半導體制造工業(yè)典型地通過將化學制劑從不同尺寸和容量 的容器分配到反應室之中來使用所述化學制劑，其中所述化學制劑被用 于制造半導體裝置例如集成電路、存儲裝置以及光電裝置。

無論所述化學制劑容器的尺寸，在一些時間點所述半導體 制造者會替換化學制劑耗盡的化學制劑容器，或者移除化學制劑容器用 于其它的操作要求。

在半導體制造中化學制劑容器的移除或替換并不是不重要 的動作。這些化學制劑典型地要求在極高純度下并且通常不能曝露在空 氣或不受控制的外部條件中，這樣的外部條件可能會在所述化學制劑容 器的移除或替換過程中影響所述化學制劑的純度。

此外，這些化學制劑常常可能會不利地與空氣中的水分和/ 或氧氣發(fā)生反應。這樣的反應可能會導致副產(chǎn)品雜質的污染，其可能堵 塞所述容器或輸送管線并且引起銹蝕或污染或兩者。

半導體制造工業(yè)一直在尋找滿足上面所述需要的容器和輸送設 備，同時其要在結構上緊湊簡單并且在使用所述容器的反應器附近具 有小的印跡。如將在后面更充分描述的，本發(fā)明滿足了這些長久以來 的需求。

發(fā)明內容

本發(fā)明是一種用于存儲和分配高純度工藝化學制劑的容器 和閥-十字吹掃組件(container?and?valve-crosspurge?assembly)， 包含；

(A)用于容納高純度工藝化學制劑的容器，其具有用于分配高 純度工藝化學制劑和引入載氣以輔助分配所述高純度工藝化學制劑 的進口和出口；

(B)閥-十字吹掃配件，其包含；

(i)第一閥；和

(ii)第二閥，

上述閥中的一個連接到所述容器的進口，且上述閥中的另一個連 接到上述容器的出口；并且

(iii)在所述第一和第二閥之間的十字吹掃連接 (crosspurg?econnection)，其提供了在所述兩閥之間與所述容器 相獨立的流體流動連接；

其中，每個閥具有；

(a)到所述容器的第一孔；

(b)到用于所述組件外部的流體流動連接的導管的第二孔；以 及，

(c)到所述十字吹掃連接的第三孔，其在所述閥中與所述第二孔 在軸向間隔第一距離；

(d)閥罩；以及

(e)閥桿，其能夠在所述閥罩中向以下兩個位置之一移動：(1) 容器打開以及(2)十字吹掃打開-容器關閉；其中，所述閥桿具有三個 閥密封表面：

(I)第一閥密封表面，其被配置以相對第一閥座密封，來關閉到 所述容器的第一孔；

(II)其橫截面相對于所述主閥桿橫截面有所放大的第二閥密封 表面，其被配置以相對閥罩的內壁密封，從而使所述第二孔對第一孔 關閉；以及，

(III)其橫截面相對于所述主閥桿橫截面有所放大的第三閥密 封表面，其被配置以相對所述閥罩的內壁密封，從而與所述第二閥密 封表面在所述十字吹掃連接的第三孔和所述第二孔之間形成流道，其 中在所述閥桿上所述第二閥密封表面與所述第三閥密封表面的軸向 間距至少與所述第一距離(如在(c)中所述的)一樣大，以便形成 所述流道(如在(III)中所述的)。

在一個替代實施方案中，所述閥桿僅僅具有兩個密封表 面，排除了所述第一密封表面。

附圖說明

圖1A和1B是本發(fā)明實施方案的透視圖，其說明了一種具有 閥-十字吹掃配件的高純度化學制劑容器，所述閥-十字吹掃配件是沿直 線定位或″U″形定位的，其中閥的出口分別為彼此面向相反的方向或面 向相同的方向。

圖2是圖1所述容器和配件的剖視圖。