[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910166544.4
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN101996988A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 倪慶羽
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01F37/00;H01G4/00;H01G4/40;H01L21/77;H01F41/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;王璐

技術領域

本發明有關于一種電子裝置，特別有關于一種電感及/或電容的無源元件及其制造方法。

背景技術

一般而言，在晶片的有源元件周圍會設置一些無源元件，例如電阻器、電容器或電感器等，以儲存或釋放電路中的電能來調節電流的穩定性。電容器由兩個電極以及兩個電極之間的介電層所組成，而電感器則通常為螺旋狀的電感器。

傳統的電容器與電感器也可以在晶片封裝的印刷電路板(PCB)上制作，其通常使用高分子作為電容器的介電層材料，使得電容器達到較高的品質因數，然而其電容值密度卻因此而降低。雖然可以使用高介電常數(high?K)的高分子作為介電層材料來提高電容值密度，但是高介電常數的高分子材料成本較高，而且在制程上的操作較不容易。

因此，業界亟需一種具有新穎結構的電子裝置，以達到較高的電容值密度及/或較高的品質因數。

發明內容

本發明提供一種電子裝置，其包括：玻璃基底；圖案化半導體基底，具有至少一開口，設置于玻璃基底上；及至少一無源元件，具有第一導電層及第二導電層，其中第一導電層位于圖案化半導體基底與玻璃基底之間。

本發明所述的電子裝置，該第二導電層位于該開口內。

本發明所述的電子裝置，該無源元件為一電感，該第一導電層與該第二導電層電性連接。

本發明所述的電子裝置，該無源元件為一電容，其包括一介電層，該介電層位于該圖案化半導體基底與該玻璃基底之間，且與該第一導電層及該第二導電層形成三明治結構。

本發明所述的電子裝置，該至少一無源元件包括一電容及一電感，且該圖案化半導體基底包括一對應該電容的第一開口及一對應該電感的第二開口，其中該第二導電層位于該第一開口及該第二開口內。

本發明所述的電子裝置，該第二導電層于對應該電感的該第二開口內與該第一導電層電性連接。

本發明所述的電子裝置，該電容包括一介電層，該介電層位于該圖案化半導體基底與該玻璃基底之間。

本發明所述的電子裝置，該第二導電層于對應該電容的該第一開口內與該第一導電層及該介電層形成三明治結構。

本發明所述的電子裝置，該第二開口小于該第一開口。

本發明所述的電子裝置，該第二導電層填滿或順應性形成于該第二開口內。

本發明所述的電子裝置，該第二導電層順應性形成于對應該電容的該第一開口內。

本發明所述的電子裝置，該介電層為一平坦化層。

本發明所述的電子裝置，該電容及該電感的該第一導電層共平面，且該電容及該電感的該第二導電層共平面。

本發明所述的電子裝置，還包括一粘著層以接合該圖案化半導體基底及該玻璃基底。

本發明所述的電子裝置，還包括一第一保護層，以隔離該第二導電層與該圖案化半導體基底。

本發明所述的電子裝置，還包括一第二保護層，以覆蓋該第二導電層與該第一保護層。

本發明所述的電子裝置，該第一保護層順應性覆蓋該圖案化半導體基底。

本發明所述的電子裝置，該第二保護層為一平坦化層。

本發明所述的電子裝置，該第一保護層和該第二保護層的材料包括一感光性絕緣材料。

此外，本發明又提供一種電子裝置的制造方法，包括：提供半導體基底，具有無源元件區；形成介電層于半導體基底上；形成多個下層開口于介電層內；形成第一導電層于介電層上及所述下層開口內；提供玻璃基底，將半導體基底與玻璃基底接合，使得介電層及第一導電層介于玻璃基底與半導體基底之間。

本發明所述的電子裝置的制造方法，還包括：圖案化該半導體基底，形成多個上層開口于半導體基底的無源元件區內，暴露出介電層及/或所述下層開口內的第一導電層；形成第一保護層于半導體基底上，以及所述上層開口的側壁上；及形成第二導電層于第一保護層上及所述上層開口內，以與介電層及/或第一導電層接觸。

本發明所述的電子裝置的制造方法，該無源元件為一電感，該第一導電層與該第二導電層電性連接。

本發明所述的電子裝置的制造方法，該第二導電層填滿該上層開口或順應性形成于該上層開口內。

本發明所述的電子裝置的制造方法，該無源元件為一電容，其中該介電層、該第一導電層及該第二導電層形成三明治結構。

本發明所述的電子裝置的制造方法，該第二導電層順應性形成于該上層開口內。

本發明所述的電子裝置的制造方法，于該半導體基底與該玻璃基底接合的步驟之后，還包括將該半導體基底薄化。

本發明所述的電子裝置的制造方法，還包括形成一平坦化的第二保護層于該第二導電層上，且填滿所述上層開口。