[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910166544.4
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN101996988A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 倪慶羽
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01F37/00;H01G4/00;H01G4/40;H01L21/77;H01F41/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;王璐

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

一玻璃基底；

一圖案化半導體基底，具有至少一開口，設置于該玻璃基底上；及

至少一無源元件，具有一第一導電層及一第二導電層，其中該第一導電層位于該圖案化半導體基底與該玻璃基底之間。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該第二導電層位于該開口內。

3.根據權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該無源元件為一電感，該第一導電層與該第二導電層電性連接。

4.根據權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該無源元件為一電容，其包括一介電層，該介電層位于該圖案化半導體基底與該玻璃基底之間，且與該第一導電層及該第二導電層形成三明治結構。

5.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該至少一無源元件包括一電容及一電感，且該圖案化半導體基底包括一對應該電容的第一開口及一對應該電感的第二開口，其中該第二導電層位于該第一開口及該第二開口內。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該第二導電層于對應該電感的該第二開口內與該第一導電層電性連接。

7.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該電容包括一介電層，該介電層位于該圖案化半導體基底與該玻璃基底之間。

8.根據權利要求7所述的電子裝置，其特征在于，該第二導電層于對應該電容的該第一開口內與該第一導電層及該介電層形成三明治結構。

9.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該第二開口小于該第一開口。

10.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該第二導電層填滿或順應性形成于該第二開口內。

11.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該第二導電層順應性形成于對應該電容的該第一開口內。

12.根據權利要求7所述的電子裝置，其特征在于，該介電層為一平坦化層。

13.根據權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，該電容及該電感的該第一導電層共平面，且該電容及該電感的該第二導電層共平面。

14.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括一粘著層以接合該圖案化半導體基底及該玻璃基底。

15.根據權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，還包括一第一保護層，以隔離該第二導電層與該圖案化半導體基底。

16.根據權利要求15所述的電子裝置，其特征在于，還包括一第二保護層，以覆蓋該第二導電層與該第一保護層。

17.根據權利要求15所述的電子裝置，其特征在于，該第一保護層順應性覆蓋該圖案化半導體基底。

18.根據權利要求16所述的電子裝置，其特征在于，該第二保護層為一平坦化層。

19.根據權利要求16所述的電子裝置，其特征在于，該第一保護層和該第二保護層的材料包括一感光性絕緣材料。

20.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體基底，具有一無源元件區；

形成一介電層于該半導體基底上；

形成多個下層開口于該介電層內；

形成一第一導電層于該介電層上及所述下層開口內；

提供一玻璃基底，將該半導體基底與該玻璃基底接合，使得該介電層及該第一導電層介于該玻璃基底與該半導體基底之間。

21.根據權利要求20所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

圖案化該半導體基底，形成多個上層開口于該半導體基底的該無源元件區內，暴露出該介電層及/或所述下層開口內的該第一導電層；

形成一第一保護層于該圖案化半導體基底上，以及所述上層開口的側壁上；及

形成一第二導電層于該第一保護層上及所述上層開口內，以與該介電層及/或該第一導電層接觸。

22.根據權利要求21所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，該無源元件為一電感，該第一導電層與該第二導電層電性連接。