[發明專利]一種原始對中裝置和系統有效
| 申請號: | 200910166484.6 | 申請日: | 2009-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN101634814A | 公開(公告)日: | 2010-01-27 |
| 發明(設計)人: | 張明;李繼魯;鄒昌;程銀華;劉旭君 | 申請(專利權)人: | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明;王寶筠 |
| 地址: | 412001*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 原始 裝置 系統 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,尤其是一種原始對中裝置和系統。
背景技術
在制備晶閘管的過程中,需要通過光刻在硅晶圓片表面形成特定的器件圖形,其中,器件圖形與晶圓片之間的原始記號對準同心度(即原始對中)對后續相關工序的品質有很大的影響。所謂原始對中,就是在晶圓片上做光刻標記之前,對晶圓片和光刻板圖案的圓心進行的對中。
現有的光刻工藝中,是采用簡單目測的方式進行原始對中,在安放光刻板的定位模中缺乏有效的對中機構,操作人員憑經驗估測晶圓片和光刻板的圓心大致重合,然后開始進行光刻。由于操作人員在進行原始對中時完全根據個人經驗,沒有進行參考調整的措施,所以對原始對準記號的對中偏差過高并且參差不齊。
原始對中的偏差過高會導致如下問題:
1)后續的光刻陽極鋁層圖形對準只能依靠光刻來解決,無法實現蒸發環自對準,增加了工藝的復雜度;
2)后續的光刻陰極鋁層無法實現用蒸發環擋住對準記號,使陰極鋁層的對準記號清晰度下降,進而影響其光刻對準精度;
3)圖形對中不規范會使后續的激光割圓操作出現激光與激光對準模之間不匹配,導致割圓排火不暢的晶圓片邊緣損傷。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的是提供一種原始對中裝置和系統,以解決現有的晶圓片和光刻板的原始對中偏差過高的問題。
本發明提供了一種原始對中裝置,所述裝置上表面開有第一圓槽孔,用于容置晶圓片,所述第一圓槽孔的深度低于晶圓片的厚度;所述裝置上表面還具有直徑大于第一圓槽孔且與第一圓槽孔同心的標記線,所述裝置上的標記線與光刻板上的標記線在原始對中時重合。
優選的,所述第一圓槽孔底面開有直徑小于所述第一圓槽孔的第二圓槽孔,所述第二圓槽孔與容置于第一圓槽孔中的晶圓片圍成空腔;所述第二圓槽孔底面開有第一通孔,所述第一通孔連通所述空腔與真空吸附裝置。
優選的,所述第一圓槽孔、第二圓槽孔的圓心重合。
優選的,所述裝置的上表面還具有側壁,所述側壁上水平貫穿有定位螺絲,所述定位螺絲用于對覆蓋在第一圓槽孔上且原始對中后的光刻板定位。
具體的,所述側壁圍繞第一圓槽孔外側的標記線形成槽孔,所述側壁形成的槽孔為方形或圓形。
具體的,所述定位螺絲的軸向平行于所述裝置的上表面,且所述定位螺絲部分嵌入所述上表面。
優選的,所述裝置還開有第二通孔,所述第二通孔的遠端位于原始對中后的光刻板之外,所述第二通孔的近端位于原始對中后的光刻板之內且位于第二圓槽孔之外。
優選的,所述第二通孔為矩形通孔或橢圓形通孔。
優選的,所述第一圓槽孔外側的標記線和光刻板上的標記線為圓形。
本發明還提供了一種原始對中系統,包括光刻板和上述原始對中裝置,所述光刻板上具有與光刻板上圖案同心、且能夠與所述原始對中裝置上的標記線重合的標記線。
本發明的原始對中裝置和系統在容置晶圓片的第一圓槽孔外設置有與第一圓槽孔同心的標記線,保障了第一圓槽孔外的標記線與晶圓片接近同心;在光刻板上也設置有與光刻板的圖案同心的標記線,因此,通過將第一圓槽孔外的標記線與光刻板上的標記線對準,能夠實現晶圓片和光刻板上圖案的良好原始對中,改善原始對中同心度;使用定位螺絲對調整好位置的光刻板進行準確定位,能夠方便的使用同一個光刻板對多個晶圓片進行原始對中和光刻,而無需重調;通過在第一圓槽孔底面開設第二圓槽孔并連接真空吸附裝置,能夠避免掀起光刻板時將晶圓片帶起而引起的晶圓片跌損。
附圖說明
圖1是本發明的原始對中裝置的立體示意圖;
圖2是本發明的原始對中裝置的俯視圖;
圖3是本發明的原始對中裝置的操作流程示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖和具體實施方式對本發明實施例作進一步詳細的說明。
本發明提供了一種原始對中裝置的實施例,參見圖1和圖2。
所述裝置10上表面開有第一圓槽孔100,用于容置晶圓片30,所述第一圓槽孔的深度低于晶圓片30的厚度,所述裝置10上表面還具有直徑大于第一圓槽孔100且與第一圓槽孔100同心的標記線(圖中未示出),所述裝置10上的標記線與光刻板20上的標記線(圖中未示出)在原始對中時重合。
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