[發明專利]像素結構、有機電激發光顯示單元及其制造方法

有效

• 申請號: 200910165631.8
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN101615613A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 陳昶亙;謝信弘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

技術領域

本發明涉及一種像素結構及其制造方法，尤其涉及一種有機電激發光顯示單元(organic?electro-luminescence?display?unit)及其制造方法。

背景技術

由于有機電激發光元件(organic?electro-luminescence?light-emitting?device)具有自發光、高亮度、高對比、廣視角以及反應速度快等優點，因此有機電激發光顯示面板(organic?electro-luminescence?display?panel)在顯示器方面的應用一直是產業關注的焦點之一。一般的有機電激發光顯示面板可區分為頂部發光型態(top?emission)有機電激發光顯示面板以及底部發光型態(bottomemission)有機電激發光顯示面板兩大類，其中又以底部發光型態(bottomemission)有機電激發光顯示面板較為常見。

圖1A至圖1G為已知的有機電激發光顯示單元的制作流程示意圖。請參照圖1A，提供一基板100，并透過第一道光刻刻蝕制造工藝(Photolithographyand?Etching?Process，PEP)在基板100上形成一柵極110。接著，在基板100上全面性地形成一柵絕緣層120以覆蓋柵極110。

接著請參照圖1B，透過第二道光刻刻蝕制造工藝在柵絕緣層120上形成一圖案化半導體層130，其中圖案化半導體層130位于柵極110的上方。

接著請參照圖1C，透過第三道光刻刻蝕制造工藝在部分的圖案化半導體層130以及部分的柵絕緣層120上形成一源極140S和一漏極140D，其中源極140S和漏極140D彼此電絕緣，且分別位于圖案化半導體層130的兩側。

接著請參照圖1D，形成一保護層150以覆蓋住源極140S、漏極140D、未被源極140S和漏極140D覆蓋的圖案化半導體層130以及未被源極140S與漏極140D覆蓋的絕緣層120。從圖1D可知，保護層150具有一接觸窗150a，且接觸窗150a暴露漏極140D的部分區域。

接著請參照圖1E，在保護層150上形成一像素電極160，其中像素電極160透過接觸窗150a與漏極140D電連接。在傳統的底部發光型態有機電激發光顯示單元中，像素電極160的材質通常為透明導電氧化物(TransparentConductive?Oxide，TCO)，例如銦錫氧化物(Indium?Tin?Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium?Zinc?Oxide，IZO)等。

接著請參照圖1F和圖1G，在形成像素電極160后，接著依序形成一有機電激發光層170以及一頂電極180。在傳統的底部發光型態有機電激發光顯示單元中，頂電極180的材質通常為金屬。當施加一驅動電流至像素電極160與頂電極180之間的有機電激發光層170時，有機電激發光層170所發出的大部分光線會穿過基板100。

發明內容

本發明提供一種像素結構及其制造方法，以有效降低制造成本。

本發明還提供一種有機電激發光顯示單元及其制造方法，以有效降低制造成本。

本發明提供一種像素結構，所述的像素結構配置于基板上，且所述的像素結構包括柵極、柵絕緣層、圖案化金屬氧化物層、刻蝕終止層、源極以及漏極。柵極配置于基板上，柵絕緣層配置于基板上以覆蓋柵極，圖案化金屬氧化物層配置于柵絕緣層上，且圖案化金屬氧化物層包括位于柵極上方的主動層以及像素電極。刻蝕終止層配置于主動層的部分區域上，其中未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導電度高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導電度。此外，源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動層電連接，且漏極與像素電極電連接。

在本發明一實施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例(oxygen?vacancy?ratio)高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例(oxygen?vacancy?ratio)。

在本發明一實施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動層的導電度實質上等于像素電極的導電度。

在本發明一實施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動層的氧空缺比例(oxygen?vacancy?ratio)實質上等于像素電極的氧空缺比例(oxygen?vacancyratio)。

在本發明一實施例中，主動層包括一源極接觸區、一漏極接觸區以及一連接于源極接觸區與漏極接觸區之間的溝道區，且刻蝕終止層配置于溝道區上。

在本發明一實施例中，刻蝕終止層自行對準(self-aligned)于溝道區。