[發明專利]像素結構、有機電激發光顯示單元及其制造方法

有效

• 申請號: 200910165631.8
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN101615613A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 陳昶亙;謝信弘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種像素結構，配置于一基板上，其特征在于，所述像素結構包括：

一柵極，配置于所述的基板上；

一柵絕緣層，配置于所述的基板上以覆蓋所述的柵極；

一圖案化金屬氧化物層，配置于所述的柵絕緣層上，其中所述的圖案化金屬氧化物層包括一位于所述的柵極上方的主動層以及一像素電極；

一刻蝕終止層，配置于所述的主動層的部分區域上，其中未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度；

一源極；以及

一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動層電連接，且所述的漏極與所述的像素電極電連接。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動層的導電度實質上等于所述的像素電極的導電度。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動層的氧空缺比例實質上等于所述的像素電極的氧空缺比例。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述的主動層包括一源極接觸區、一漏極接觸區以及一連接于所述的源極接觸區與所述的漏極接觸區之間的溝道區，且所述的刻蝕終止層配置于所述的溝道區上。

6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述的刻蝕終止層自行對準于所述的溝道區。

7.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述的源極接觸區、所述的漏極接觸區以及所述的像素電極的導電度實質上相同。

8.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述的源極接觸區、所述的漏極接觸區以及所述的像素電極的導電載流子濃度介于10²⁰cm^-3到10²¹cm^-3之間。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述的像素結構還包括一保護層，其中所述的保護層覆蓋所述的刻蝕終止層、所述的源極、所述的漏極以及所述的像素電極的部分區域，且所述的保護層具有一開口以將所述的像素電極的部分區域暴露。

10.一種像素結構的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：

于一基板上形成一柵極；

在所述的基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋所述的柵極；

在所述的柵絕緣層上形成一圖案化金屬氧化物層，所述的圖案化金屬氧化物層包括位于所述的柵極上方的第一圖案以及第二圖案；

在所述的圖案化金屬氧化物層的所述的第一圖案上形成一刻蝕終止層，其中所述的刻蝕終止層僅覆蓋于所述的第一圖案的部分區域上，且所述的刻蝕終止層位于所述柵極的上方；

以所述的刻蝕終止層為掩膜，對所述的圖案化金屬氧化物層進行一表面處理，以使未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度，其中經過所述的表面處理后的所述的圖案化金屬氧化物層包括一位于所述的柵極上方的主動層以及一像素電極；以及

形成一源極以及一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動層電連接，且所述的漏極與所述的像素電極電連接。

11.如權利要求10所述的像素結構的制造方法，其特征在于，所述的表面處理包括等離子體表面處理。

12.如權利要求10所述的像素結構的制造方法，其特征在于，所述的方法還包括形成一保護層，其中所述的保護層覆蓋所述的刻蝕終止層、所述的源極、所述的漏極以及所述的像素電極的部分區域，且所述的保護層具有一開口以將所述的像素電極的部分區域暴露。

13.一種有機電激發光顯示單元，配置于一基板上，其特征在于，所述的有機電激發光顯示單元包括：

一像素單元，包括如權利要求1所述的像素結構；

一有機電激發光層，配置于所述的像素電極上；以及

一頂電極，配置于所述的有機電激發光層上。

14.一種有機電激發光顯示單元的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：

于一基板上形成一柵極；

于所述的基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋所述的柵極；

于所述的柵絕緣層上形成一圖案化金屬氧化物層，所述的圖案化金屬氧化物層包括位于所述的柵極上方的第一圖案以及第二圖案；

于所述的圖案化金屬氧化物層的所述的第一圖案上形成一刻蝕終止層，其中所述的刻蝕終止層僅覆蓋于所述的第一圖案的部分區域上，且所述的刻蝕終止層位于所述柵極的上方；

以所述的刻蝕終止層為掩膜，對所述的圖案化金屬氧化物層進行表面處理，以使未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導電度，其中經過所述的表面處理后的所述的圖案化金屬氧化物層包括一位于所述的柵極上方的主動層以及一像素電極；

形成一源極以及一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動層電連接，且所述的漏極與所述的像素電??極電連接；

于所述的像素電極上形于一有機電激發光層；以及

于所述的有機電激發光層上形成一頂電極。