[發(fā)明專利]封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910165565.4
• 申請(qǐng)日: 2009-07-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101989588A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許詩(shī)濱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 全懋精密科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/488;H01L23/12
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，在該封裝基板上設(shè)有多個(gè)第一電性接觸墊，在該第一電性接觸墊上設(shè)有該電性連接結(jié)構(gòu)，通過(guò)該電性連接結(jié)構(gòu)以電性連接至印刷電路板或封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電性連接結(jié)構(gòu)包括：

多個(gè)金屬緩沖層，對(duì)應(yīng)設(shè)在各該第一電性接觸墊上，且形成該金屬緩沖層的材料為焊錫材料；以及

多個(gè)凸柱，對(duì)應(yīng)設(shè)在各該金屬緩沖層上，且該凸柱的熔點(diǎn)高于該金屬緩沖層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該焊錫材料的材料為錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋅(Zn)、或銦(In)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該凸柱的材料為鋁(Al)、銅(Cu)、或鎳(Ni)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括阻障層，該阻障層形成在該金屬緩沖層與第一電性接觸墊之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該阻障層的材料為鎳(Ni)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括焊錫材料，該焊錫材料形成在該凸柱上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括表面處理層，該表面處理層形成在該凸柱的外露表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該表面處理層的材料為電鍍鎳/金、化學(xué)鍍鎳/金、化鎳浸金(ENIG)、化鎳鈀浸金(ENEPIG)、化學(xué)鍍錫(Immersion?Tin)、化學(xué)鍍銀或電鍍錫。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括絕緣保護(hù)層，該絕緣保護(hù)層形成在該封裝基板上，并露出所述凸柱，且該表面處理層形成在該凸柱的外露表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括絕緣保護(hù)層，該絕緣保護(hù)層形成在該封裝基板上及所述凸柱側(cè)面，并露出所述凸柱的頂面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝基板的電性連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括焊錫材料，該焊錫材料形成在該凸柱的頂面。

12.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：

封裝基板，具有第一表面及第二表面，在該第一表面上設(shè)有多個(gè)第一電性接觸墊，在該第二表面上設(shè)有多個(gè)第二電性接觸墊；

半導(dǎo)體晶片，電性連接所述第二電性接觸墊；

多個(gè)金屬緩沖層，對(duì)應(yīng)設(shè)在各該第一電性接觸墊上，且形成該金屬緩沖層的材料為焊錫材料；以及

多個(gè)凸柱，對(duì)應(yīng)設(shè)在各該金屬緩沖層上，且該凸柱的熔點(diǎn)高于該金屬緩沖層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體晶片以打線結(jié)構(gòu)或覆晶結(jié)構(gòu)電性連接所述第二電性接觸墊。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該焊錫材料的材料為錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋅(Zn)、或銦(In)。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該凸柱的材料為鋁(Al)、銅(Cu)、或鎳(Ni)。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括阻障層，該阻障層形成在該金屬緩沖層與第一電性接觸墊之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該阻障層的材料為鎳(Ni)。

18.根據(jù)權(quán)利要求12或16所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括焊錫材料，該焊錫材料形成在該凸柱上。

19.根據(jù)權(quán)利要求12或16所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括表面處理層，該表面處理層形成在該凸柱的外露表面上。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該表面處理層的材料為電鍍鎳/金、化學(xué)鍍鎳/金、化鎳浸金(ENIG)、化鎳鈀浸金(ENEPIG)、化學(xué)鍍錫(Immersion?Tin)、化學(xué)鍍銀或電鍍錫。