[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910164468.3
• 申請日: 2009-07-28
• 公開（公告）號: CN101651104A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設計）人: 北島裕一郎;吉野英生
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 朱海煜;王丹昕

1.一種用于包括具有LOCOS偏置的場效應晶體管的半導體器件 的制造方法，所述制造方法包括：

在具有第一導電類型的半導體襯底上形成犧牲氧化物膜；

在所述犧牲氧化物膜上形成氮化物膜；

通過采用光阻劑的圖案僅對所述氮化物膜的目標區(qū)域進行蝕刻；

通過離子注入法形成具有第二導電類型的偏置擴散層；

在其中所述氮化物膜被蝕刻的區(qū)域中形成LOCOS氧化物膜；

移除所述氮化物膜和所述犧牲氧化物膜；

在所述半導體襯底的表面上形成柵極氧化物膜，在所述柵極氧化 物膜上形成多晶硅膜，并且通過采用光阻劑的圖案僅對所述多晶硅膜 的目標區(qū)域進行蝕刻；

蝕刻所述柵極氧化物膜和所述LOCOS氧化物膜的一區(qū)域，以便 使所述LOCOS氧化物膜的膜厚朝向漏極擴散層減少，在所述區(qū)域下 方通過采用光阻劑的圖案形成充當所述漏極擴散層的高摻雜擴散層， 將所述LOCOS氧化物膜在漏極擴散層側的端部形成為圓形形狀，并 且形成所述漏極擴散層的與所述LOCOS氧化物膜相鄰的端部以延伸 到所述偏置擴散層中從而覆蓋所述LOCOS氧化物膜被蝕刻的區(qū)域； 和

通過離子注入法形成具有第二導電類型的高摻雜擴散層。

2.根據權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，蝕刻所述柵 極氧化物膜和所述LOCOS氧化物膜包括進行各向同性蝕刻。

3.一種半導體器件，其包括：

具有第一導電類型的半導體襯底；

柵極氧化物膜，其設置在所述半導體襯底表面的一部分上；

具有第二導電類型的源極擴散層，設置在所述半導體襯底的與所 述柵極氧化物膜相鄰的表面附近；

與所述源極擴散層分開設置的LOCOS氧化物膜，其中所述柵極 氧化物膜設置在所述源極擴散層和所述LOCOS氧化物膜之間；

設置在所述柵極氧化物膜上的柵電極，從所述源極擴散層的端部 延伸到所述LOCOS氧化物膜；

具有第二導電類型的偏置擴散層，設置在所述半導體襯底的所述 表面附近并且位于所述LOCOS氧化物膜下方；和

具有第二導電類型的漏極擴散層，設置在所述半導體襯底的所述 表面附近并且與在與所述柵極氧化物膜相反的一側的所述LOCOS氧 化物膜相鄰設置，所述漏極擴散層設置在所述偏置擴散層和設置在相 鄰LOCOS氧化物膜下方的另一偏置擴散層之間，

其中，所述LOCOS氧化物膜具有朝所述漏極擴散層連續(xù)減少的 厚度；

其中，所述LOCOS氧化物膜的在漏極擴散層側的端部具有圓形 形狀的輪廓；并且

其中，所述漏極擴散層的與所述LOCOS氧化物膜相鄰的端部形 成為延伸到所述偏置擴散層中從而覆蓋具有所述LOCOS氧化物膜的 蝕刻部分的區(qū)域。