[發明專利]薄膜晶體管陣列面板的制造方法

無效

• 申請號: 200910164010.8
• 申請日: 2004-02-03
• 公開（公告）號: CN101655643A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 樸云用;李元熙;金一坤;林承澤;宋俞莉;田尚益
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F1/14;H01L21/84
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

本申請是申請號為200410039503.6、申請日為2004年2月3日、發明名稱為“薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩模”的原案申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜。

背景技術

液晶顯示器(LCDs)是目前最廣泛使用的平面顯示器之一。LCD包括具有產生電場電極的兩面和置于其間的液晶層。LCD通過向產生電場電極施加電壓以在液晶(LC)層中產生電場顯示圖像，其可確定液晶層中液晶分子的取向以調整入射光的偏振。

在包括可在相應面板上產生電場電極的液晶顯示器中，其中一種液晶顯示器具有多個在一個面板上以矩陣形態排列的像素電極、和一個可覆蓋另一個面板全部表面的共同電極。這種液晶顯示器圖像的顯示是通過向相應的像素電極施加不同電壓實現的。為此將用于控制施加到像素電極電壓的多個三端子元件TFT連接到相應的像素電極上，再將傳送控制該TFT信號的多個柵極線和傳送施加到像素電極電壓的多個數據線設置在面板上。

這種用于液晶顯示器的面板具有包括多個導電層和多個絕緣層的層狀結構。柵極線、數據線、和像素電極由不同導電層(下面分別稱“柵極導體”、“數據導體”、和“像素導體”)組成，優選依次沉積且被絕緣層分開。TFT包括三個電極：由柵極導體形成的柵極、和由數據導體形成的源極及漏極。源極和漏極之間通常通過位于其下面的半導體連接，而漏極則通常通過絕緣層上的孔連接像素電極。

為了減少柵極線和數據線中的信號滯后，柵極導體及數據導體優選由具有低電阻率的諸如鋁和鋁合金這類的鋁系金屬制成。為了施加電壓的電場形成和具有透光性，像素電極通常由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)這類的透明導電材料制成。

同時，還存在鋁系列金屬與ITO或IZO接觸時鋁系列金屬腐蝕和接觸部分的接觸電阻增大的問題。

如上所述，漏極和像素電極通過絕緣體上的接觸孔連接。這種連接通過如下步驟形成，首先在絕緣體上打孔以露出漏極的上部鋁系列金屬層，再通過全面蝕刻(blanket-etching)除去上部金屬層的露出部分以露出接觸性良好的下部層，最后在其上形成像素電極。但是，在鋁系列金屬層的全面蝕刻過程中常發生接觸孔的側壁下部的鋁系列金屬被過度蝕刻，在絕緣層上形成下切(undercut)。這種下切可能導致其后形成的像素電極在下切附近斷線或像素電極的側面在下切附近變脆弱，從而增加了像素電極和漏極之間的接觸電阻。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管陣列面板，其包括：形成于絕緣基板之上的柵極線、形成在所述柵極線之上的柵極絕緣層、形成在所述柵極絕緣層上部的半導體層、形成在所述絕緣層上部且一部分與所述半導體層相接的數據線、具有覆蓋所述數據線并部分露出所述數據線或所述柵極線邊界線的鈍化層、還有至少覆蓋通過所述第一接觸孔露出的所述柵極線或數據線末端部分的邊界且形成在所述鈍化層上部的接觸輔助副件。

所述柵極線或所述數據線可以由鉻或鉬或鉬合金組成的下部層和鋁或鋁合金組成上部層形成，優先地，由IZO或ITO組成的所述接觸輔助副件與所述下部層接觸。

該薄膜晶體管陣列面板還可以包括與所述數據線相分離形成在所述柵極絕緣層上部且一部分與所述半導體層相接的漏極，還有形成在所述鈍化層上部、通過露出所述漏極的第二接觸孔與所述漏極連接的像素電極。

根據本發明提供一種曝光掩膜，其包括：阻擋光的不透明區域，還有形成在不透明區域包含多個狹縫的狹縫光柵，狹縫基本上為直線形態，所述狹縫寬度及間距約在0.8-2.0μm范圍之內。

所述狹縫可以具有凹陷部。

所述掩膜可以用于制造薄膜晶體管陣列面板，該面板具有多個布線相交叉的顯示區域和所述布線末端部分所處的周邊區域，所述狹縫包括位于顯示區域的第一狹縫和位于周邊區域的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫可以具有互不相同的寬度及間距。

所述狹縫包括位于所述顯示區域及所述周邊區域的第一狹縫和位于剩下區域的第二狹縫，第一狹縫和第二狹縫可以具有互不相同的寬度及間距。