[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列面板的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910164010.8
• 申請(qǐng)日: 2004-02-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101655643A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸云用;李元熙;金一坤;林承澤;宋俞莉;田尚益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G03F1/14;H01L21/84
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法，所述方法包括：

在絕緣基板上形成柵極線；

形成柵極絕緣層；

形成半導(dǎo)體；

形成包括數(shù)據(jù)線及漏極的數(shù)據(jù)導(dǎo)電層；

形成鈍化層，所述鈍化層具有露出所述漏極的一部分及鄰接在所述漏極邊界線的所述柵極絕緣層的上表面的一部分的接觸孔；以及

形成通過(guò)所述接觸孔與所述漏極連接的像素電極，

其中，所述像素電極通過(guò)所述鈍化層中的接觸孔與所述漏極的上表面以及鄰接在所述漏極邊界線的所述柵極絕緣層的上表面的一部分相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，使用掩模通過(guò)光學(xué)蝕刻工序來(lái)圖案化所述半導(dǎo)體和所述鈍化層中的至少一個(gè)，所述掩模包括光不能透過(guò)的第一區(qū)域、能透過(guò)一部分光的第二區(qū)域以及光完全透過(guò)的第三區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述光學(xué)蝕刻工序形成光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包括位于所述數(shù)據(jù)線及所述漏極第一部分上的第一部分、及位于所述漏極第二部分上的第二部分、位于所述柵極線末端部分上的第三部分；所述光致抗蝕劑第二部分比所述光致抗蝕劑第一部分薄，所述光致抗蝕劑第三部分比所述光致抗蝕劑第二部分薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑還包括在所述數(shù)據(jù)線末端部分上且具有的厚度比所述光致抗蝕劑第一部分厚度小的第四部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：還包括：

利用所述光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻，以露出位于所述光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的所述鈍化層部分和位于所述光致抗蝕劑的第三部分下面的所述柵極絕緣層的一部分；以及

除去所述鈍化層的露出部分和所述柵極絕緣層的露出部分，以形成露出所述數(shù)據(jù)線末端部分及所述柵極線末端部分的接觸孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩模的所述第二區(qū)域包括與所述光致蝕刻劑第二部分相對(duì)應(yīng)的第一狹縫和與所述光致蝕刻劑第四部分相對(duì)應(yīng)的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫具有不同的寬度和間距。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：通過(guò)光學(xué)蝕刻工序來(lái)圖案化所述半導(dǎo)體和所述鈍化層中的至少一個(gè)的步驟包括：

在所述柵極絕緣層上沉積一半導(dǎo)體層；

在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)電層上沉積一絕緣層；

在所述絕緣層上形成所述光致抗蝕劑；

利用所述光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻，以露出位于所述光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的所述鈍化層部分和所述光致抗蝕劑的第三部分下面的所述柵極絕緣層的一部分；

除去所述鈍化層的露出部分和所述柵極絕緣層的露出部分，以形成露出所述數(shù)據(jù)線末端部分及所述柵極線末端部分的接觸孔并露出部分所述半導(dǎo)體層；以及

除去所述半導(dǎo)體層的露出部分，以形成所述半導(dǎo)體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體包括位于相鄰數(shù)據(jù)線之間且相互分離的多個(gè)半導(dǎo)體部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述薄膜晶體管面板包括所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉的顯示區(qū)域及設(shè)有所述柵極線末端部分和所述數(shù)據(jù)線末端部分的周邊區(qū)域；所述狹縫包括在所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域中的第一狹縫及在其余區(qū)域中的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫具有不同的寬度及間距。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)包括由鉻、鉬、以及鉬合金中的至少一種構(gòu)成的下部導(dǎo)電層及由鋁和鋁合金中的至少一種構(gòu)成的上部導(dǎo)電層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于：所述漏極包括所述下部導(dǎo)電層和所述上部導(dǎo)電層，并且所述方法還包括：

在形成所述像素電極之前除去所述漏極的至少一部分的所述上部導(dǎo)電層。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，整列所述掩模，使得所述掩模的第二區(qū)域的一部分與所述漏極的邊界線重疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模的第二區(qū)域包括一個(gè)或多個(gè)狹縫，并且，其中，至少一個(gè)所述狹縫具有凹陷。