[發明專利]薄膜晶體管陣列面板的制造方法

無效

• 申請號: 200910164010.8
• 申請日: 2004-02-03
• 公開（公告）號: CN101655643A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 樸云用;李元熙;金一坤;林承澤;宋俞莉;田尚益
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F1/14;H01L21/84
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法，所述方法包括：

在絕緣基板上形成柵極線；

形成柵極絕緣層；

形成半導體；

形成包括數據線及漏極的數據導電層；

形成鈍化層，所述鈍化層具有露出所述漏極的一部分及鄰接在所述漏極邊界線的所述柵極絕緣層的上表面的一部分的接觸孔；以及

形成通過所述接觸孔與所述漏極連接的像素電極，

其中，所述像素電極通過所述鈍化層中的接觸孔與所述漏極的上表面以及鄰接在所述漏極邊界線的所述柵極絕緣層的上表面的一部分相接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，使用掩模通過光學蝕刻工序來圖案化所述半導體和所述鈍化層中的至少一個，所述掩模包括光不能透過的第一區域、能透過一部分光的第二區域以及光完全透過的第三區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述光學蝕刻工序形成光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包括位于所述數據線及所述漏極第一部分上的第一部分、及位于所述漏極第二部分上的第二部分、位于所述柵極線末端部分上的第三部分；所述光致抗蝕劑第二部分比所述光致抗蝕劑第一部分薄，所述光致抗蝕劑第三部分比所述光致抗蝕劑第二部分薄。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑還包括在所述數據線末端部分上且具有的厚度比所述光致抗蝕劑第一部分厚度小的第四部分。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：還包括：

利用所述光致抗蝕劑進行蝕刻，以露出位于所述光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的所述鈍化層部分和位于所述光致抗蝕劑的第三部分下面的所述柵極絕緣層的一部分；以及

除去所述鈍化層的露出部分和所述柵極絕緣層的露出部分，以形成露出所述數據線末端部分及所述柵極線末端部分的接觸孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩模的所述第二區域包括與所述光致蝕刻劑第二部分相對應的第一狹縫和與所述光致蝕刻劑第四部分相對應的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫具有不同的寬度和間距。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：通過光學蝕刻工序來圖案化所述半導體和所述鈍化層中的至少一個的步驟包括：

在所述柵極絕緣層上沉積一半導體層；

在所述數據導電層上沉積一絕緣層；

在所述絕緣層上形成所述光致抗蝕劑；

利用所述光致抗蝕劑進行蝕刻，以露出位于所述光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的所述鈍化層部分和所述光致抗蝕劑的第三部分下面的所述柵極絕緣層的一部分；

除去所述鈍化層的露出部分和所述柵極絕緣層的露出部分，以形成露出所述數據線末端部分及所述柵極線末端部分的接觸孔并露出部分所述半導體層；以及

除去所述半導體層的露出部分，以形成所述半導體。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述半導體包括位于相鄰數據線之間且相互分離的多個半導體部分。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述薄膜晶體管面板包括所述柵極線和所述數據線交叉的顯示區域及設有所述柵極線末端部分和所述數據線末端部分的周邊區域；所述狹縫包括在所述顯示區域和所述周邊區域中的第一狹縫及在其余區域中的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫具有不同的寬度及間距。

10.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述柵極線和所述數據導電層中的至少一個包括由鉻、鉬、以及鉬合金中的至少一種構成的下部導電層及由鋁和鋁合金中的至少一種構成的上部導電層。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：所述漏極包括所述下部導電層和所述上部導電層，并且所述方法還包括：

在形成所述像素電極之前除去所述漏極的至少一部分的所述上部導電層。

12.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，整列所述掩模，使得所述掩模的第二區域的一部分與所述漏極的邊界線重疊。

13.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模的第二區域包括一個或多個狹縫，并且，其中，至少一個所述狹縫具有凹陷。