[發明專利]半導體元件的制造方法

無效

• 申請號: 200910163899.8
• 申請日: 2009-08-14
• 公開（公告）號: CN101673676A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 廖舜章;鐘昇鎮;鄭光茗;莊學理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種半導體元件的制造方法，包含：

提供一基材，其上設置有一虛置柵極結構；

形成一硬掩模層于該虛置柵極結構上；

沉積一介電層；

平坦化該介電層并使用該硬掩模層作為一停止層；及

移除該硬掩模層。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，還包含：

移除該虛置柵極以形成一溝槽；及

在該溝槽中形成一金屬柵極電極。

3.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該硬掩模層的形成包含形成一氮化硅層。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，還包含：

在該硬掩模層上形成一氧化物掩模層。

5.如權利要求4所述的半導體元件的制造方法，還包含：

在該基材上形成一應變區接著移除該氧化物掩模層。

6.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該硬掩模層的移除包含在平坦化該介電層時進行一過研磨步驟。

7.一種半導體元件的制造方法，包含：

提供一基材，其上設置有一虛置柵極結構；

形成一第一及一第二硬掩模層于該虛置柵極結構上；

形成一應變區于該虛置柵極結構旁；

在形成該應變區后移除該第二掩模層；

在移除該第二掩模層后，于該應變區中形成一源極及一漏極區；

沉積一介電層；及

使用該第一硬掩模層作為一停止層來移除至少一部分該介電層。

8.如權利要求7所述的半導體元件的制造方法，還包含繼續該移除步驟超過該停止層以移除該第一掩模層。

9.如權利要求7所述的半導體元件的制造方法，其中該應變區的形成包含外延成長一鍺化硅區。

10.如權利要求7所述的半導體元件的制造方法，還包含：

移除該虛置柵極結構及形成一金屬柵極。

11.一種半導體元件的制造方法，包括：

形成一犧牲多晶硅柵極于一基材上，其中在該基材上形成該犧牲多晶硅柵極包含使用一第一及一第二硬掩模層至少其一來圖案化該犧牲多晶硅層；

形成一源極及一漏極區于該犧牲多晶硅柵極旁；

形成一接觸點于該源極及該漏極區上，其中該接觸點的形成包含使用該第一及該第二硬掩模層至少其一來防止硅化物形成在該犧牲多晶硅柵極上。

12.如權利要求11所述的半導體元件的制造方法，還包含：

沉積一介電層于該犧牲多晶硅柵極上；及

使用該第一及該第二硬掩模層至少其一作為一停止層來移除至少一部分該介電層。

13.如權利要求11所述的半導體元件的制造方法，其中該第一硬掩模層包含氮化硅。

14.如權利要求11所述的半導體元件的制造方法，其中該第二硬掩模層包含一氧化物。

15.如權利要求11所述的半導體元件的制造方法，還包含：

繼續移除該介電層并超過該停止層以移除該第一及該第二硬掩模層至少其一。