[發明專利]發光元件及其制造方法,以及利用該發光元件的發光器件有效
| 申請號: | 200910163835.8 | 申請日: | 2005-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN101673807A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發明(設計)人: | 中村康男;池田壽雄;坂田淳一郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;韋欣華 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 及其 制造 方法 以及 利用 器件 | ||
本申請是以下申請的分案申請:申請日:2005年4月21日;申請號:200580012658.3(國際申請號PCT/JP2005/008089);發明名稱:“發光元件及其制造方法,以及利用該發光元件的發光器件”。?
技術領域
本發明涉及一種發光元件和制造該發光元件的方法,以及利用該發光元件的發光器件。?
背景技術
利用發光材料的發光元件具有形狀薄、重量輕、響應速度快、低直流電壓驅動等等特點,預期將被應用于下一代平板顯示器中。其中發光元件設置成矩陣型的發光器件與常規的液晶顯示器相比具有廣闊視角和高可視性的優越性。?
發光元件的發光機制如下:通過向一對中間插有電致發光層的電極施加電壓,使從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在電致發光層中的發光中心內重組形成分子激子,當該分子激子回到基態時釋放能量而發光。受激單態和受激三重態是已知的激發態,據信通過這兩種狀態都能發光。?
對于這種發光元件來說,在提高材料性質方面存在許多問題。因而,人們從事于改進元件結構、開發材料之類的工作以克服這些缺點。?
曾報道了一種作為元件結構之一的發光元件,其結構中多個發光單元堆疊在一起,并被陽極和陰極之間的電荷發生層分隔開,所述陽極和陰極彼此相對設置以便當發出高亮度光時能實現較長的壽命(專利文件1和非專利文件1)。電荷發生層具有注入載流子的功能,并需要包括高度透光的材料。?
[專利文件1]?
日本專利公開說明書No:2003-45676?
[非專利文件1]?
Toshio?Matsumoto,Takeshi?Nakada,Jun?Endo,Koichi?Mori,Norihumi?Kawamura,Akira?Tokoi,和Junji?Kido,IDW’03,pp.1285-1288。?
發明內容
[本發明所解決的問題]?
在專利文件1和非專利文件1中,用一種高度透光的透明導電膜作為電荷發生層。然而,其問題在于當透明導電膜,典型的是氧化銦錫(ITO),通過濺射法形成于電致發光層上時,會損壞(濺射損壞)電致發光層。此外,當透明導電膜通過蒸鍍法形成時,所形成的電極的透射率和電阻率降低,這種方式較不可取。因此,希望提供一種發光元件和發光器件,其電極可以通過濺射法形成于電致發光層上但不會損壞該電致發光層。?
鑒于上述問題,本發明的一個目的在于提供一種制造發光元件的方法,其可以降低由于濺射成膜過程對電致發光層的損害。本發明還有一個目的在于提供一種發光元件和發光器件,其中降低了由于濺射成膜過程造成的損害。?
[解決問題的手段]?
根據本發明的發光元件包括多個(至少兩個)電致發光層以及一或多個(至少一個)電荷發生層,位于第一電極和第二電極之間。所述電致發光層和電荷發生層交替堆疊,并且每個電致發光層都包括一層含有不易受到淀積過程中的等離子濺射蝕刻的材料的層。而且,所述電致發光層和電荷發生層堆疊,使得電致發光層中含有不易被蝕刻的材料的層在形成電荷發生層之前形成。?
即在電致發光層中,作為與通過濺射法形成于該電致發光層上的電荷發生層相接觸的層,應使用不易受到淀積過程中的等離子濺射蝕刻的材料。更具體來說,當第一電極形成于第二電極之前時,在電荷發生層的第一電極側上面形成了含有苯并噁唑衍生物或吡啶衍生物的層以便與電荷發生層相接觸。?
在本說明書的下文中,對于發光元件的一對電極來說,先形成的電極被稱為第一電極,后形成的電極被稱為第二電極。?
通式(1)表示了本發明中使用的苯并噁唑衍生物的結構。?
[通式(1)]?
(其中Ar為芳基,R1到R4各自獨立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10個碳原子的烷基、具有1到10個碳原子的鹵代烷基、或具有1到10個碳原子的烷氧基。或者,R1到R4為取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的雜環基團)?
通式(2)表示了本發明中使用的吡啶衍生物的結構。?
[通式(2)]?
(其中兩個X可以具有相同的結構也可以是不同的結構,R1到R8各自獨立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10個碳原子的烷基、具有1到10個碳原子的鹵代烷基、或具有1到10個碳原子的烷氧基。或者,R1到R8為取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的雜環基團)?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





