[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光元件及其制造方法,以及利用該發(fā)光元件的發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910163835.8 | 申請(qǐng)日: | 2005-04-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101673807A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中村康男;池田壽雄;坂田淳一郎 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/50 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;韋欣華 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 元件 及其 制造 方法 以及 利用 器件 | ||
1.一種發(fā)光元件,包括:
第一電極,
在所述第一電極上的發(fā)光層,
在所述發(fā)光層上的電荷發(fā)生層;以及
在所述發(fā)光層和所述電荷發(fā)生層之間并且與所述電荷發(fā)生層 相接觸的含有吡啶衍生物的層,
在所述電荷發(fā)生層上的第二電極,
其中所述吡啶衍生物以通式(2)表示
其中兩個(gè)X具有相同的結(jié)構(gòu)也可以是不同的結(jié)構(gòu),并且
其中R1到R8各自獨(dú)立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10 個(gè)碳原子的烷基、具有1到10個(gè)碳原子的鹵代烷基、具有1到 10個(gè)碳原子的烷氧基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的 雜環(huán)基團(tuán)。
2.一種發(fā)光元件,包括:
第一電極,
在所述第一電極上的第一發(fā)光層,
在所述第一發(fā)光層上的含有第一吡啶衍生物的第一層,
與所述含有第一吡啶衍生物的第一層相接觸的電荷發(fā)生層;
在所述電荷發(fā)生層上的第二發(fā)光層;以及
在所述第二發(fā)光層上的含有第二吡啶衍生物的第二層,
其中所述第一吡啶衍生物和第二吡啶衍生物均以通式(2)表示
其中兩個(gè)X具有相同的結(jié)構(gòu)也可以是不同的結(jié)構(gòu),并且
其中R1到R8各自獨(dú)立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10 個(gè)碳原子的烷基、具有1到10個(gè)碳原子的鹵代烷基、具有1到 10個(gè)碳原子的烷氧基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的 雜環(huán)基團(tuán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件,進(jìn)一步包括在所述含 有第二吡啶衍生物的第二層上的第二電極。
4.一種發(fā)光元件,包括:
第一電極和第二電極;
在所述第一電極和第二電極之間的至少兩個(gè)發(fā)光層;
至少一個(gè)電荷發(fā)生層;以及
至少一個(gè)含有吡啶衍生物的層,
其中所述電荷發(fā)生層形成于各個(gè)發(fā)光層之間;并且
所述含有吡啶衍生物的層與所述電荷發(fā)生層的第一電極側(cè)相 接觸,
其中所述吡啶衍生物以通式(2)表示
其中兩個(gè)X具有相同的結(jié)構(gòu)也可以是不同的結(jié)構(gòu),并且
其中R1到R8各自獨(dú)立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10 個(gè)碳原子的烷基、具有1到10個(gè)碳原子的鹵代烷基、具有1到 10個(gè)碳原子的烷氧基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的 雜環(huán)基團(tuán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光元件,其中所述電荷發(fā)生層通過(guò) 濺射法形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2和4中任何一項(xiàng)的發(fā)光元件,其中所 述電荷發(fā)生層為透明導(dǎo)電膜。
7.利用根據(jù)權(quán)利要求1、2和4中任何一項(xiàng)的發(fā)光元件的發(fā) 光器件。
8.一種制造發(fā)光元件的方法,包括步驟:
形成第一電極;
在所述第一電極上形成至少兩個(gè)發(fā)光層;以及
形成至少一個(gè)電荷發(fā)生層;
其中在各個(gè)發(fā)光層之間形成含有吡啶衍生物的層,并且
形成所述電荷發(fā)生層以便位于所述含有吡啶衍生物的層上并 且與所述含有吡啶衍生物的層相接觸,并且
其中所述吡啶衍生物以通式(2)表示
其中兩個(gè)X具有相同的結(jié)構(gòu)也可以是不同的結(jié)構(gòu),并且
其中R1到R8各自獨(dú)立地為氫、鹵素、氰基、具有1到10 個(gè)碳原子的烷基、具有1到10個(gè)碳原子的鹵代烷基、具有1到 10個(gè)碳原子的烷氧基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的 雜環(huán)基團(tuán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的制造發(fā)光元件的方法,其中所述電荷發(fā) 生層通過(guò)濺射法形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的制造發(fā)光元件的方法,進(jìn)一步包括在 所述含有吡啶衍生物的層上通過(guò)濺射法形成電極的步驟。
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H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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