[發(fā)明專利]封裝材料組合物及封裝材料的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910163385.2
• 申請(qǐng)日: 2009-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN101993513A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉榮昌;鐘明樺;許宗儒;張至芬;陳人豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): C08F220/32
• 分類號(hào): C08F220/32;C08F222/22;C08F230/08;C09K3/10;H01L51/50;H01L33/00;H01L31/0203
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅;徐金國

1.一種封裝材料組合物，包括：

(a)100重量份的樹脂單體，包括(a1)環(huán)氧-壓克力樹脂單體、(a2)硅壓克力樹脂單體及(a3)雙官能基氨酯壓克力樹脂單體；

(b)0.1-15重量份的填充料；以及

(c)0.1-5重量份的引發(fā)劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物在25℃下具有介于1～100,000cps的粘度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該封裝材料組合物具有高于85％的透光率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中樹脂單體摩爾比例(a1)∶(a2)∶(a3)＝1∶1～3∶1～3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該環(huán)氧-壓克力樹脂單體具有以下化學(xué)式：

其中，R¹與R²各自獨(dú)立地為苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷基、含碳數(shù)介于1～12的醚基、含碳數(shù)介于1～12的烷氧基或含碳數(shù)介于1～12的環(huán)烷氧基。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該雙官能基氨酯壓克力單體具有以下化學(xué)式：

其中，R³、R⁴與R⁵各自獨(dú)立地為苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷基、含碳數(shù)介于1～12的醚基、含碳數(shù)介于1～12的烷氧基或含碳數(shù)介于1～12的環(huán)烷氧基；R⁶與R⁷各自獨(dú)立地為苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷基、含碳數(shù)介于1～12的醚基、含碳數(shù)介于1～12的烷氧基、含碳數(shù)介于1～12的環(huán)烷氧基或氫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該硅壓克力樹脂單體具有以下化學(xué)式：

其中R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²各自獨(dú)立地為苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷苯基、含碳數(shù)介于1～12的烷基、含碳數(shù)介于1～12的醚基、含碳數(shù)介于1～12的烷氧基或含碳數(shù)介于1～12的環(huán)烷氧基。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該填充料為氧化金屬、鹵素化金屬或氮化金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其中該引發(fā)劑為光引發(fā)劑和/或熱引發(fā)劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝材料組合物，其中該熱引發(fā)劑為自由基引發(fā)劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝材料組合物，其中該自由基引發(fā)劑是過氧化物或偶氮化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝材料組合物，其中該光引發(fā)劑為陽離子引發(fā)劑或環(huán)戊二烯過渡金屬絡(luò)合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料組合物，其是用于一光電組件的封裝。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝材料組合物，其中該發(fā)光組件為有機(jī)發(fā)光二極管、無機(jī)發(fā)光二極管、或太陽能電池。

15.一種封裝材料的制造方法，包括：

提供根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一權(quán)利要求所述的封裝材料組合物；

以第一程序聚合該封裝材料組合物，其中該第一程序包括：加熱程序、紫外光照射程序、微波程序、或前述的組合；以及

以第二程序固化該封裝材料組合物，以形成該封裝材料，其中該第二程序包括：照光程序。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝材料的制造方法，其中該加熱程序的施行時(shí)間介于1～100小時(shí)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝材料的制造方法，其中該加熱程序的溫度為介于60～150℃。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝材料的制造方法，其中該紫外光照射程序的施行時(shí)間介于1～200分鐘。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的封裝材料的制造方法，其中該紫外光照射程序的功率為介于1～10,000瓦特。