[發明專利]集成電容無效
| 申請號: | 200910162083.3 | 申請日: | 2009-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN101661932A | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發明(設計)人: | 鄭道;陳文淋 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/92;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京萬慧達知識產權代理有限公司 | 代理人: | 葛 強;張一軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 電容 | ||
1.一種集成電容,包含:
第一梳形金屬結構;
第二梳形金屬結構,與上述第一梳形金屬結構交錯;以及
曲形金屬結構,設置于上述第一梳形金屬結構與上述第二梳形金屬結構之間的空間內。
2.如權利要求1所述的集成電容,其特征在于,介電層位于上述第一梳形金屬結構,上述第二梳形金屬結構,以及上述曲形金屬結構之間。
3.如權利要求1所述的集成電容,其特征在于,上述第一梳形金屬結構與上述第二梳形金屬結構電耦接至第一極性,而上述曲形金屬結構電耦接至與上述第一極性相反的第二極性。
4.如權利要求1所述的集成電容,其特征在于,上述第一梳形金屬結構與上述第二梳形金屬結構,以及上述曲形金屬結構是同一金屬互連層的金屬線。
5.如權利要求1所述的集成電容,其特征在于,上述第一梳形金屬結構、上述第二梳形金屬結構以及上述曲形金屬結構是由堆疊金屬線與過孔形成的金屬板。
6.一種集成電容,包含:
柵欄形的外金屬結構,包圍內金屬結構以及介電層,上述介電層位于上述外金屬結構與上述內金屬結構之間。
7.如權利要求6所述的集成電容,其特征在于,柵欄形的上述外金屬結構包含矩形金屬框以及于上述矩形金屬框內突出的多個指形電極,其中上述內金屬結構具有軌道形結構,其包含垂直金屬線及多個水平金屬線。
8.如權利要求7所述的集成電容,其特征在于,上述垂直金屬線與上述多個水平金屬線互連。
9.如權利要求7所述的集成電容,其特征在于,上述多個水平金屬線與柵欄形的上述外金屬結構的上述多個指形電極相互交錯。
10.如權利要求6所述的集成電容,其特征在于,上述外金屬結構與上述內金屬結構耦接至相反極性。
11.如權利要求6所述的集成電容,其特征在于,上述外金屬結構與上述內金屬結構是同一金屬互連層的金屬線。
12.如權利要求6所述的集成電容,其特征在于,上述外金屬結構與上述內金屬結構是由堆疊金屬線與過孔形成的金屬板。
13.一種集成電容,包含:
第一對鑰匙形金屬結構與第二對鑰匙形金屬結構,其中上述第一對鑰匙形金屬結構與上述第二對鑰匙形金屬結構相互嚙合;以及
介電層,位于上述第一對鑰匙形金屬結構與上述第二對鑰匙形金屬結構之間。
14.如權利要求13所述的集成電容,其特征在于,上述第一對鑰匙形金屬結構耦接至第一極性,而上述第二對鑰匙形金屬結構耦接至與上述第一極性相反的第二極性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





