[發(fā)明專利]顯示裝置的修正方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910161644.8 | 申請日: | 2009-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN101667527A | 公開(公告)日: | 2010-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 新井武;中須信昭;枝村理夫;大錄范行 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立顯示器 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23C16/04;C23C16/50;H01J37/32 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 修正 方法 及其 裝置 | ||
(本申請要求于2008年9月5日提交的日本專利申請 JP2008-227750和于2008年9月26日提交的日本專利申請 JP2008-247112的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過參考在此引入。)
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示裝置的修正方法及其裝置,涉及通過使用在大氣 壓下生成的等離子體噴流(plasma?jet)對顯示裝置的襯底上的電子電 路圖案的短路位置和開路位置進(jìn)行修正而恢復(fù)正常的技術(shù)。
另外,本發(fā)明還涉及局部地形成膜或表面處理的制造方法及其制 造裝置,尤其涉及使氣體流入反應(yīng)室而局部地形成膜或表面處理的技 術(shù)。
背景技術(shù)
例如,液晶顯示裝置是在一對襯底之間夾有液晶的結(jié)構(gòu),在一個 襯底(有時稱為濾色片襯底)上交互涂敷藍(lán)、綠、紅色樹脂而形成濾 色片,在另一個襯底(有時稱為TFT襯底)上形成包含薄膜晶體管 (TFT)的電子電路圖案。
如果在濾色片和布線中產(chǎn)生圖案缺陷,則液晶顯示裝置顯示異 常,成為不合格品。顯示異常有例如,因在濾色片上涂敷的樹脂擠出 到相鄰像素而產(chǎn)生的顏色不好、因樹脂膜厚和TFT襯底不均勻而產(chǎn)生 的顏色不均、布線間的短路和斷線等。
作為檢測這些圖案缺陷的方法,可以使用通過用外觀檢查裝置對 電路圖案進(jìn)行拍攝并進(jìn)行圖像處理而使缺陷明顯化的一般的圖案檢查 裝置。
作為濾色片的顏色擠出和TFT襯底的布線短路的修正方法,像 例如日本專利申請?zhí)亻_平9-307217號公報(參考文獻(xiàn)1)中公開的那 樣,通過向短路位置照射激光而除去該短路位置的修正方法是一般的。
作為在圖案缺陷位置形成布線材料的方法,有像例如特開平 8-66652號公報(參考文獻(xiàn)2)中公開的那樣,用前端直徑被拉細(xì)了的 中空吸液管涂敷上述布線材料的方法。另外,在例如特公平7-484967 號公報(參考文獻(xiàn)3)、特開平11-61413號公報(參考文獻(xiàn)4)中公 開了稱為激光CVD法的、通過向電路襯底上的所希望區(qū)域供給作為 金屬布線的原料的氣體,并向該處照射激光而把原料氣體分解,析出 金屬薄膜的方法。
液晶顯示元件是在在玻璃襯底上形成了電路的TFT襯底與濾色 片襯底之間夾著液晶的結(jié)構(gòu)。如果在電路和濾色片中產(chǎn)生缺陷,則液 晶顯示元件顯示異常,成為不合格品。由于在制造工序中使用的玻璃 襯底逐年大型化,僅僅通過改善工藝很難制造無缺陷的液晶顯示元件, 所以必須有修正缺陷部的技術(shù)。
作為現(xiàn)有電路開路缺陷的修正方法,已知有使用激光CVD裝置 和微等離子體產(chǎn)生裝置等在襯底上的缺陷部上局部地形成金屬膜或絕 緣膜的修正方法。激光CVD裝置是在原料氣體氣氛下向襯底照射激 光束,促進(jìn)照射部分的原料氣體的反應(yīng)而形成膜的裝置。另外,微等 離子體產(chǎn)生裝置是向反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入原料氣體而產(chǎn)生微等離子體,用等 離子體促進(jìn)原料氣體反應(yīng)而形成膜的裝置。在兩種裝置中都必須有回 收原料氣體以防止它向周圍泄漏的技術(shù)。如果外部大氣混入原料氣體, 則導(dǎo)致膜質(zhì)量的劣化,所以必須有防止外部大氣流入反應(yīng)室的技術(shù)。
由于玻璃襯底的大型化,襯底尺寸達(dá)到了一邊長度超過2m。因 此如果用反應(yīng)腔室包圍整個襯底則導(dǎo)致裝置巨大化,存在不僅在反應(yīng) 腔室內(nèi)更換氬氣等的惰性氣體需要很多時間,而且惰性氣體的成本也 增大的問題。于是,在用激光CVD裝置和微等離子體產(chǎn)生裝置局部 地形成膜時,像特表平1-502149號公報(參考文獻(xiàn)5)那樣,提出了 安裝局部吸排氣機(jī)構(gòu)而形成膜的方法。如果使用局部吸排氣機(jī)構(gòu),則 可以僅僅使反應(yīng)區(qū)域被反應(yīng)室覆蓋且處于惰性氣氛中,所以無需巨大 的反應(yīng)腔室,且能夠縮短惰性氣體的更換時間。
局部吸排氣機(jī)構(gòu)是多個殼相重疊那樣的結(jié)構(gòu),最內(nèi)側(cè)的殼是導(dǎo)入 原料氣體和等離子體產(chǎn)生用氣體而進(jìn)行膜形成或表面處理的反應(yīng)室, 在其外側(cè)的殼內(nèi)吸收從反應(yīng)室漏出的氣體。這些殼的一方是開放的, 該被開放的面與進(jìn)行膜形成或表面處理的襯底隔開一定間隙地設(shè)置。 由于必須使向反應(yīng)室供給的原料氣體和等離子體產(chǎn)生用氣體的濃度和 壓力保持恒定,所以一直向反應(yīng)室供給新的氣體并更換反應(yīng)完的氣體。 因此,使排氣流量穩(wěn)定從而使反應(yīng)完成的氣體被快速排出是很重要的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





