[發(fā)明專利]顯示裝置的修正方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910161644.8 | 申請日: | 2009-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN101667527A | 公開(公告)日: | 2010-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 新井武;中須信昭;枝村理夫;大錄范行 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立顯示器 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23C16/04;C23C16/50;H01J37/32 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 修正 方法 及其 裝置 | ||
1.一種顯示裝置的修正裝置,對在襯底的表面上形成了具有圖 案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進(jìn)行修正,其特征 在于:包括通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上 述圖案缺陷的等離子體照射單元,
上述等離子體照射單元包括:
在其內(nèi)部生成等離子體的等離子體生成用細(xì)管,
向上述等離子體生成用細(xì)管供給第一氣體的第一氣體供給部,
具有開口部,從該開口部的對面?zhèn)炔迦肷鲜龅入x子體生成用細(xì)管 的一端的等離子體反應(yīng)部,以及
向上述等離子體反應(yīng)部內(nèi)供給第二氣體的第二氣體供給部。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的修正裝置,其特征在于:
在上述開口部配置有保持并能移動上述顯示裝置的工作臺機(jī)構(gòu), 且
上述顯示裝置的修正裝置包括從檢查裝置接收上述缺陷圖案的 信息,辨認(rèn)上述缺陷圖案的缺陷并將其分類的觀察機(jī)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的修正裝置,其特征在于:
根據(jù)從上述第一氣體供給部供給的氣體的物理量,分解從第二氣 體供給部供給的反應(yīng)性氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的修正裝置,其特征在于:
在上述等離子體反應(yīng)部中具有把等離子體噴流的直徑變細(xì)的掩 模,
上述掩模配置在上述等離子體生成用細(xì)管與襯底之間,第二氣體 供給部配置在上述掩模與襯底之間。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置的修正裝置,其特征在于:
上述掩模是絕緣體。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的修正裝置,其特征在于:
根據(jù)從上述第一氣體供給部供給的氣體的物理量,控制被加工物 的溫度。
7.如權(quán)利要求3、6中任一項所述的顯示裝置的修正裝置,其特征 在于:
上述氣體的物理量是流量、流速、氣體種類、電離度中的至少一 種。
8.一種顯示裝置的修正方法,對在襯底的表面上形成了具有圖 案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進(jìn)行修正,其特征 在于:
向等離子體生成用細(xì)管供給第一氣體而生成等離子體,
從插入等離子體反應(yīng)部內(nèi)的上述等離子體生成用細(xì)管的一端射 出所生成的等離子體,
向上述等離子體反應(yīng)部內(nèi)供給第二氣體,
利用上述射出的等離子體分解反應(yīng)性的上述第二氣體,對配置在 上述等離子體反應(yīng)部的開口部側(cè)的顯示裝置的上述圖案缺陷進(jìn)行修 正。
9.一種顯示裝置的修正方法,其特征在于:
通過對從等離子體生成用細(xì)管的一個端部向上述等離子體生成 用細(xì)管的內(nèi)部供給的惰性氣體施加高頻電力,產(chǎn)生等離子體;
通過在上述等離子體生成用細(xì)管的另一個端部與襯底之間配置 的掩模,把等離子體噴流微細(xì)化;
根據(jù)從第一氣體供給部供給的氣體的物理量,分解從第二氣體供 給部供給的反應(yīng)性氣體,對上述襯底上的電子電路圖案的圖案缺陷進(jìn) 行修正。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的修正方法,其特征在于:
上述氣體的物理量是流量、流速、氣體種類、電離度中的至少一 種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





