[發明專利]堆疊式半導體封裝件

有效

• 申請號: 200910161160.3
• 申請日: 2009-08-06
• 公開（公告）號: CN101859745A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 金鐘薰;孫晧榮
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/52;H01L25/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種半導體封裝件，包括：

包括焊盤和凸出部的半導體芯片，其中所述焊盤形成在所述半導體芯片的第一表面上，所述凸出部從所述半導體芯片的第二表面的一部分上凸出，并且所述第二表面背向第一表面；和

穿通電極，其穿過所述第一表面和所述第二表面上的所述凸出部。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述凸出部設置在所述第二表面的中部并具有矩形形狀，并且所述凸出部與所述半導體芯片彼此形成為一體。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述凸出部以矩陣圖案設置在所述第二表面上，并且所述凸出部與所述半導體芯片彼此形成為一體。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括設置在所述凸出部上的增強層。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中所述穿通電極穿過所述增強層，所述增強層包含非導電性粘合劑(NCA)、非導電性膜(NCF)、以及非導電聚合物(NCP)中的任意一種。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中所述增強層包含各向異性導電膜(ACF)。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括導引部，所述導引部從所述半導體芯片的第二表面凸出并與所述半導體芯片的短邊或長邊平行。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述凸出部占據所述第二表面的整個面積的約5～25％。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中至少兩個穿通電極穿過所述半導體芯片并與所述凸出部相對應。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括凸塊與襯墊，所述凸塊與襯墊設置在與所述凸出部相對應的所述穿通電極的末端上。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝件，其中所述凸塊與所述襯墊由選自釬料、金、銅與鋁中的任意一種所形成。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中至少兩個半導體芯片堆疊在一起，使得第一半導體芯片的第一表面與第二半導體芯片的第二表面彼此面對而設置。

13.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括涂層，所述涂層設置在第一半導體芯片的第一表面與第二半導體芯片的第二表面之間，并且所述涂層包含親水性物質與親脂性物質中的任意一種。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝件，還包括置于所述堆疊的半導體芯片之間的填隙物，并且所述填隙物包含親水性物質與親脂性物質中的任意一種。

15.一種半導體封裝件，包括：

具有第一表面和第二表面的半導體芯片，所述第一表面上設有焊盤，所述第二表面上設有平坦部和凹部，其中所述半導體芯片具有第一厚度和第二厚度，所述第一厚度為從所述第一表面至所述平坦部測量時的厚度，所述第二厚度為從所述第一表面至所述凹部測量時的厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及

穿通電極，其穿過所述第一表面和所述平坦部。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝件，還包括設于所述平坦部上的增強層。

17.根據權利要求16所述的半導體封裝件，還包括導引部，所述導引部從所述半導體芯片的第二表面的所述凹部凸出并與所述半導體芯片的短邊和長邊中之一平行。

18.根據權利要求16所述的半導體封裝件，其中至少兩個半導體芯片堆疊在一起，使得第一半導體芯片的第一表面與第二半導體芯片的第二表面彼此面對而設置。

19.根據權利要求16所述的半導體封裝件，還包括涂層，所述涂層設置在第一半導體芯片的第一表面與第二半導體芯片的第二表面之間，并且所述涂層包含親水性物質和親脂性物質中的任意一種。

20.根據權利要求19所述的半導體封裝件，還包括置于所述堆疊式半導體芯片之間的填隙物，所述填隙物包含親水性物質與親脂性物質中的任意一種。