[發明專利]壓控振蕩器電路以及包括該壓控振蕩器電路的半導體設備

有效

• 申請號: 200910160719.0
• 申請日: 2009-07-17
• 公開（公告）號: CN101630958A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 金志炫;金重鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099;H03L7/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種壓控振蕩器VCO電路，包括：

輸入電壓接收器，其接收輸入到VCO電路的第一電壓以便產生第一電 流；

電流反射鏡，其復制第一電流以產生第二電流；以及

頻率振蕩器，其響應于第二電流而振蕩，

其中，輸入電壓接收器包括：

電平移動器，其將第一電壓的電壓電平移動到第二電壓的電壓電 平；和

第一電流產生器，其產生與第二電壓相對應的所述第一電流，

該VCO電路還包括第二電壓偏置單元，其在第二電壓增大為高于參考 電壓電平時，將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平，

其中，第二電壓偏置單元包括晶體管，該晶體管是第一類型且與電流反 射鏡并聯連接，并且該晶體管的一端連接到電平移動器的一端。

2.如權利要求1所述的VCO電路，其中，電平移動器包括第一輸入晶 體管，該第一輸入晶體管響應于第一電壓而導通，并且是第一類型。

3.如權利要求2所述的VCO電路，其中，第一輸入晶體管是P溝道金 屬氧化物半導體PMOS晶體管，第一電壓通過該PMOS晶體管的柵極而施加 到該PMOS晶體管。

4.如權利要求2所述的VCO電路，其中，第一電流產生器包括第二輸 入晶體管，該第二輸入晶體管響應于作為第一輸入晶體管的一端的電壓的第 二電壓而導通，連接到電流反射鏡，是與第一類型不同的第二類型，并且具 有與第一輸入晶體管相同的大小。

5.如權利要求3所述的VCO電路，其中，第二輸入晶體管是N溝道金 屬氧化物半導體NMOS晶體管，第二電壓通過該NMOS晶體管的柵極而施 加到該NMOS晶體管。

6.如權利要求1所述的VCO電路，其中，頻率振蕩器包括多個反相器， 它們響應于第二電流而反相，并且彼此串聯連接。

7.一種鎖相環PLL設備，包括如權利要求1所述的VCO電路。

8.一種壓控振蕩器VCO電路，包括：

輸入電壓接收器，其接收輸入到VCO電路的第一電壓以便產生第一電 流；

電流反射鏡，其復制第一電流以便產生第二電流；以及

頻率振蕩器，其響應于第二電流而振蕩，

其中，輸入電壓接收器包括：

第一輸入晶體管，其響應于第一電壓而導通，并且是第一類型；和

第二輸入晶體管，其響應于作為第一輸入晶體管的一端的電壓的第 二電壓而導通以便產生所述第一電流，連接到電流反射鏡，是與第一類 型不同的第二類型，并且具有與第一輸入晶體管相同的大小，

該VCO電路還包括第二電壓偏置單元，其在第二電壓增大為高于參考 電壓電平時，將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平，

其中，第二電壓偏置單元包括晶體管，該晶體管是第一類型且與電流反 射鏡并聯連接，并且該晶體管的一端連接到第一輸入晶體管的所述一端。

9.如權利要求8所述的VCO電路，其中，第一輸入晶體管是P溝道金 屬氧化物半導體PMOS晶體管，第一電壓通過該PMOS晶體管的柵極而施加 到該PMOS晶體管。

10.如權利要求9所述的VCO電路，其中，第二輸入晶體管是N溝道 金屬氧化物半導體NMOS晶體管，第二電壓通過該NMOS晶體管的柵極而 施加到該NMOS晶體管。

11.如權利要求8所述的VCO電路，其中，頻率振蕩器包括多個反相 器，它們響應于第二電流而反相，并且彼此串聯連接。

12.一種鎖相環PLL設備，包括如權利要求8所述的VCO電路。