[發明專利]氧化銦錫層的形成

有效

• 申請號: 200910160328.9
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101645336A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 黃麗麗;鐘志國
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06;B32B17/10;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 張 陽

技術領域

本申請一般地涉及氧化銦錫(ITO)層的形成，尤其涉及通過將 ITO加熱至較高溫度而在基片之上形成結晶ITO層的同時限制基片 的溫度增加。

背景技術

現今，有許多類型的輸入設備可用于執行計算系統內的操作，這 些輸入設備包括諸如按鈕或鍵、鼠標、跟蹤球、游戲桿、觸摸傳感器 面板、觸摸屏等等。特別地，觸摸屏因其易于使用、適于多用途操作 且價格逐漸降低而變得越來越流行。觸摸屏可以包括觸摸傳感器面板 和顯示設備，其中觸摸傳感器面板可以是帶有觸摸敏感表面的透明面 板，而諸如液晶顯示器(LCD)的顯示設備可以部分地或完全地放置 在面板之后以使得觸摸敏感表面能夠覆蓋該顯示設備的至少一部分 可視區。觸摸屏可以允許用戶通過用手指、輸入筆或者其他物體在由 顯示設備顯示的用戶界面(UI)所指示的位置上對觸摸傳感器面板進 行觸摸來執行各種功能。一般而言，觸摸屏可以識別觸摸事件以及該 觸摸事件在觸摸傳感器面板上的位置，于是計算系統可以根據觸摸事 件時刻出現的顯示來解釋該觸摸事件，隨后就能基于該觸摸事件執行 一個或多個動作。

互電容觸摸傳感器面板可由基本透明的導電材料(諸如ITO)的 驅動線路和感測線路的陣列形成，其中所述驅動線路和感測線路的陣 列通常以行和列的方式沿著水平和垂直方向沉積在基本透明的基片 上。沉積高質量、結晶ITO的常規工藝需要將基片暴露在高達350 攝氏度的持續溫度下。然而，這類高溫工藝無法適用于某些應用。

發明內容

一個示例涉及通過加熱ITO到較高溫度而在基片之上形成結晶 ITO層的同時限制基片的溫度增加小于預定溫度。例如，可以在基片 之上沉積包括非晶ITO的層，并且可以使用表面退火工藝使得ITO 經歷從非晶ITO到結晶ITO的相變。在表面退火工藝中，能量的施 加是以大部分的能量由包括非晶ITO的層而非基片吸收的方式進行 的。例如，非晶ITO層可以暴露于激光、紫外(UV)輻射、微波輻 射、或者其他電磁(EM)輻射下。可以選擇輻射的波長，使得非晶 ITO層吸收大部分的輻射能量。以此方式，因為大部分的能量被ITO 層吸收，使得例如非晶ITO層可以被充分加熱以經歷到結晶ITO的 相變，而同時基片的溫度增加則可被限制為小于預定溫度。在另一示 例中，可以通過向ITO層施加電流而使得能量吸收集中在ITO層。 ITO層的電阻使得電流的一部分能量以熱量形式被ITO層吸收。讓電 流集中流過ITO層能夠使得大部分的能量由非晶ITO層吸收，由此 就能將ITO加熱到較高溫度并引起到結晶ITO的相變，同時限制基 片的溫度增加。

在另一示例中，可以使用諸如物理氣相沉積(PVD)之類的沉積 工藝在裸基片(即，沒有包括非晶ITO的層)上沉積結晶ITO，上述 工藝在將ITO加熱到較高溫度(例如，200-350攝氏度或更高)的同 時限制基片的溫度增加小于預定溫度。例如，可以讓基片在其溫度增 加超過預定的閾值溫度之前快速通過高溫ITO沉積室，以沉積一層較 薄的結晶ITO。可以讓基片多次通過沉積室，直至ITO層達到期望厚 度。在每次通過之間，能讓基片充分冷卻以便在下一次通過的過程中 保持基片溫度低于預定的閾值溫度。

附圖說明

圖1例示了可根據本發明實施例在其上形成一層或多層結晶 ITO層的示例性LCD模塊。

圖2例示了一種根據本發明的實施例使用表面退火工藝在諸如 CF玻璃的基片之上形成結晶ITO層同時限制基片的溫度增加的示例 性方法。

圖3例示了根據本發明實施例的另一種形成結晶ITO層的示例 性方法。

圖4例示了根據本發明實施例的另一種形成結晶ITO層的示例 性方法。

圖5例示了另一種根據本發明實施例的使用快速沉積工藝形成 結晶ITO層的示例性方法。

圖6例示了一種根據本發明實施例的用于校準/測試結晶ITO層 形成工藝的示例性方法。

圖7A-C例示了一種可以根據本發明實施例形成的示例性SITO 配置。

圖8A-B示出了圖7A-C中示例性SITO配置的更多細節。

圖9例示了圖7A-C和圖8A-B中示例性SITO配置的進一步細 節。

圖10A-B例示了具有根據本發明實施例形成的SITO配置的觸摸 傳感器面板的示例性電容測量。

圖10C例示了另一個示例性SITO配置。