[發明專利]氧化銦錫層的形成

有效

• 申請號: 200910160328.9
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101645336A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 黃麗麗;鐘志國
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06;B32B17/10;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 張 陽

1.一種用于在絕緣基片之上形成結晶氧化銦錫(ITO)層的系 統，所述系統包括：

沉積裝置，用于在所述基片之上沉積包括非晶ITO的層；以及

加熱裝置，用于通過向包括非晶ITO的所述層施加電流來將包 括非晶ITO的所述層加熱到第一溫度，以使得所述基片的溫度在所述 結晶ITO的形成期間保持小于所述第一溫度，其中所述第一溫度足以 由所述非晶ITO的至少一部分形成結晶ITO。

2.如權利要求1所述的系統，還包括：

電阻測量裝置，用于在施加所述電流期間測量包括非晶ITO的 所述層的電阻，以及基于測得的電阻，改變所述電流的施加。

3.如權利要求1所述的系統，其中所述沉積裝置包括低溫濺射 裝置。

4.如權利要求1所述的系統，其中所述加熱裝置施加所述電流 包括在第一時間段期間施加第一電流，在所述第一時間段之后的第二 時間段期間停止所述第一電流的施加，并且在所述第二時間段之后的 第三時間段期間施加第二電流。

5.如權利要求1所述的系統，其中所述加熱裝置在所述電流的 施加期間改變所述電流的功率水平和所述電流的頻率之一。

6.如權利要求5所述的系統，其中所述加熱裝置施加所述電流 包括在所述電流的施加早期持續增大所述功率水平和在所述電流的 施加末期持續降低所述功率水平中的一個。

7.如權利要求2所述的系統，其中由所述電阻測量裝置改變所 述電流的施加包括改變所述電流的量和所述電流的施加定時之一。

8.如權利要求7所述的系統，其中由所述電阻測量裝置改變所 述電流的施加定時包括在測量到的電阻達到預定閾值時停止施加所 述電流。

9.一種用于在基片之上形成結晶氧化銦錫(ITO)層的系統， 所述系統包括：

包括沉積室系統的加熱裝置，用于在沉積室中將ITO加熱到第 一溫度，并將ITO沉積到所述基片上，所述第一溫度足以在所述基片 上形成結晶ITO；以及

控制裝置，用于控制所述沉積室系統以在其中一部分結晶ITO 層被沉積到所述基片上的第一時間段內將所述基片放置在所述沉積 室內，以使得在所述第一時間段期間所述基片的溫度保持小于所述第 一溫度，并且在第一時間段之后，在其中所述基片溫度降低的第二時 間段內將所述基片從所述沉積室中移出，并且重復上述放置和移出直 至結晶ITO層被形成。

10.如權利要求9所述的系統，其中所述沉積室是物理氣相沉積 室。

11.一種用于對形成在基片之上的材料層進行退火的系統，所述 材料層是包括非晶氧化銦錫(ITO)的層，所述系統包括：

電磁輻射(EM)裝置，用于將材料層暴露在其波長被該材料吸 收的EM輻射下，并且EM輻射將該材料加熱至退火溫度；

限溫裝置，用于通過將EM輻射曝光限制為曝光的持續時間分 布，并且通過設置EM輻射的波長、EM輻射的強度和EM輻射的入 射角而將基片的溫度增加限制為小于預定溫度；以及

層形成裝置，用于在所述基片之上形成包括非晶ITO的所述層， 包括：在所述基片上形成中間層，其中所述中間層在EM輻射的波長 上反射或吸收所述EM輻射；以及在所述中間層上形成包括非晶ITO 的所述層，以使得所述中間層在所述基片和包括非晶ITO的所述層之 間，其中退火溫度是足以由所述非晶ITO的至少一部分形成結晶ITO 的溫度。

12.如權利要求11所述的系統，其中所述EM輻射是激光、紫 外(UV)輻射和微波輻射中的一種。

13.如權利要求11所述的系統，其中所述EM輻射的入射角是 在如下范圍內：所述范圍在入射余角和45度角之間并且包括所述入 射余角和45度角。