[發明專利]移位寄存器及半導體顯示裝置有效
| 申請號: | 200910160190.2 | 申請日: | 2005-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN101615430A | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發明(設計)人: | 納光明;安西彩 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | G11C19/28 | 分類號: | G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 徐予紅 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移位寄存器 半導體 顯示裝置 | ||
1.一種移位寄存器,包括:
分別具有電路(112)的多級觸發器電路,所述電路(112)包括:
第一晶體管(101);
串聯電連接到所述第一晶體管(101)的第二晶體管(102);
第二電路(108),所述第二電路(108)包括第三晶體管(103) 和第四晶體管(104);以及
第三電路(109),所述第三電路(109)包括第五晶體管(105) 和開關元件(106),
其中所述第一晶體管(101)的源極和漏極的其中之一電連接到 所述第二晶體管(102)的源極和漏極的其中之一;
其中所述第一晶體管(101)的源極和漏極的所述其中之一電連 接到所述電路(112)的第一端子;
其中所述第一晶體管(101)的源極和漏極中的另外一個電連接 到第一線路(VDD);
其中所述第四晶體管(104)的源極和漏極的其中之一電連接到 所述第一線路(VDD);
其中所述第二晶體管(102)的源極和漏極中的另外一個電連接 到第二線路(VSS);
其中所述第五晶體管(105)的源極和漏極的其中之一電連接到 所述第二線路(VSS);
其中所述第三晶體管(103)的柵極電連接到所述第四晶體管 (104)的柵極;
其中所述第三晶體管(103)的柵極電連接到第二端子(A);
其中所述開關元件(106)的輸入端子被輸入時鐘信號;
其中所述開關元件(106)的輸出端子電連接到所述第二晶體管 (102)的柵極;
其中所述第五晶體管(105)的源極和漏極中的另外一個電連接 到所述第二晶體管(102)的柵極;
其中所述第三晶體管(103)的源極和漏極的其中之一電連接到 第三端子(A2);
其中所述第三晶體管(103)的源極和漏極中的另外一個電連接 到所述第一晶體管(101)的柵極;以及
其中所述第四晶體管(104)的源極和漏極中的另外一個電連接 到所述第一晶體管(101)的柵極;
其特征在于,
所述第五晶體管(105)的柵極電連接到第四端子(B);
所述開關元件(106)的第二控制端子電連接到第五端子(Bb), 以及
所述開關元件(106)的第一控制端子電連接到第四端子(B),
其中所述第二端子(A)連接到前一級的觸發器電路中的所述電 路(112)的輸出端子(OUT1),所述第四端子(B)連接到后一級 的觸發器電路的輸出端子(OUT2)。
2.如權利要求1所述的移位寄存器,其中所述第一晶體管(101) 和所述第四晶體管(104)是p溝道晶體管,所述第三晶體管(103) 和所述第五晶體管(105)是n溝道晶體管。
3.如權利要求1所述的移位寄存器,其中所述第一線路(VDD) 向所述第一晶體管(101)的源極和漏極的其中之一以及所述第四晶 體管(104)的源極和漏極的其中之一提供的電源電勢高于所述第二 線路(VSS)。
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