[發明專利]側面發光二極管封裝件

有效

• 申請號: 200910160094.8
• 申請日: 2006-11-27
• 公開（公告）號: CN101621110A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 金昶煜;韓允錫;宋憐宰;金炳晚;盧在基;洪性在
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 吳貴明

本申請是分案申請，其原案申請的申請號為200610140337.8，申請日為2006年11月27日，發明名稱為“側面發光二極管封裝件”。

相關申請交叉參考

本申請要求2005年11月25日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.2005-113834的優先權，其公開內容結合于此作為參考。

技術領域

本發明涉及一種大功率發光二極管(LED)封裝件，具體地，在該封裝件中，側壁高度被縮短，以改進發射光的光束孔徑角特性、增加光通量、并防止側壁的模塑缺陷。

背景技術

液晶顯示器(LCD)不具備自身的光源，因此需要通常被稱為背光單元的外部照明。背光單元從后方照亮LCD，并使用冷陰極熒光燈(CCFL)或LED作為光源。

圖1和圖2示出了LCD常用的背光單元1。參照圖1和圖2，背光單元1包括多個LED封裝件10、光導向板20、反射片24、散射片26、和一對棱鏡片28。對于這樣的布置，從LED封裝件10入射到光導向板20的光射向上方的LCD面板30，為LCD提供背光。

對其進行更詳細的描述，LED封裝件10包括：LED芯片12；陰極和陽極引線14，用于為置于其上的LED芯片12供電；封裝件本體16，其保持引線14；以及透明樹脂的密封劑18，其被填充到封裝件本體16的腔室C中，以封裝LED芯片12，如圖3和圖4所示。

由LED芯片12產生的光束L1至L3被引導到光導向板20內，并在光點圖形22處分散之前在光導向板20內傳播。當光束L1在光點圖形22處向上分散時，其退出光導向板20，從而穿過散射板26和棱鏡片28而到達LED面板30。

參照圖3和圖4更詳細地描述LED封裝件10，其中LED封裝件10的填充有密封劑18的腔室C的深度d通常為600μm至650μm。深度d主要取決于LED芯片12的安裝高度t、導線W的環路高度h1、以及從導線W直到密封劑18的頂表面的高度h2。

當深度d具有更大的值時，從LED芯片12頂表面到密封劑18頂表面的高度h1+h2也增加。但是，這將帶來以下問題。

首先，這限制了從LED封裝件10發射出的光的光束孔徑角α。當光束孔徑角α更小時，背光單元1將使用更多的LED封裝件10。

第二，如從圖5所看到的，當由LED芯片12產生的光束L1沿箭頭A方向發射時，部分光束L1撞到LED封裝件10的側壁17。當撞到側壁17時，光束L1由于例如吸收/分散而損失。這減少了從LED封裝件10發射出來的總體光通量。當側壁17越高，即圖4中的腔室深度d越大時，光通量減少的越多。

第三，更高的側壁17可能更容易導致諸如側壁17的上部或下部中空虛(void)等的模塑缺陷。所述的模塑缺陷尤其可能發生在圖3中以附圖標記I表示的部分中。由于模塑缺陷，LED封裝件10的性能會降低，并且有時將被棄用。

發明內容

已經構思了本發明來解決現有技術中的上述問題，因此，本發明的一方面在于提供一種側面發光LED封裝件，其中側壁的高度被縮短，以改進發射光的光束孔徑角特性、增加光通量、并防止側壁的模塑缺陷。

根據本發明的一方面，用于背光單元的側面發光LED封裝件包括：封裝件本體，其具有腔室，該腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內側壁；第一和第二引線框架，其布置于封裝件本體中，封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個的一部分暴露于外部；發光二極管芯片，其安裝在腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置于圍繞發光二極管芯片的腔室中。腔室具有的深度大于發光二極管芯片的安裝高度，并且不超過該安裝高度的六倍。

發光二極管芯片的安裝高度可以是50μm到200μm。這里，腔室的深度優選地是200μm到480μm。

根據本發明的另一方面，提供了一種降低導線高度的方法，因為導線是限制腔室深度的降低的一個因素。根據本發明的這個方面的側面發光LED封裝件包括：封裝件本體，其具有腔室，該腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內側壁；第一和第二引線框架，其布置于封裝件本體中，封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個的一部分暴露于外部；發光二極管芯片，其安裝在腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；透明密封劑，其布置于圍繞發光二極管芯片的腔室中；以及導線，用于將發光二極管芯片電連接至第一和第二引線框架中的至少一個，該導線的一端連接至發光二極管芯片的隆起焊球(bump?ball)，而另一端自動點焊至引線框架。這里，腔室的深度是200μm至480μm。