[發(fā)明專利]一種晶片型熱敏電阻及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910160035.0 | 申請日: | 2009-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN101604565A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 連清宏;鐘信吉;林居南 | 申請(專利權(quán))人: | 立昌先進(jìn)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01C7/02 | 分類號: | H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司: | 北京金信立方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 黃 威;孫麗梅 |
| 地址: | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶片 熱敏電阻 及其 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶片型熱敏電阻,尤其涉及以網(wǎng)版印刷將指叉型平行電極印在同平面上且制成晶片型熱敏電阻的內(nèi)電極及其制作方法。
背景技術(shù)
熱敏電阻(thermistors)元件是一種對溫度敏感的電子元件,其特性為電阻值可以隨著溫度的變化而改變,例如負(fù)溫度熱敏電阻的電阻值可以隨溫度的上升而下降。
熱敏電阻元件的溫度系數(shù)非常大,目前廣泛應(yīng)用于線路電阻的溫度量測、控制與補(bǔ)償方面。而且,為了達(dá)到精準(zhǔn)檢知溫度的微小變化,熱敏電阻元件的精度要求要愈高愈好。
而已知的晶片型熱敏電阻結(jié)構(gòu),有以下幾種:
1.傳統(tǒng)晶片型熱敏電阻10的結(jié)構(gòu),如圖1所示,包含一對端電極11和12及一陶瓷本體20,且所述端電極11和12分別覆蓋在所述陶瓷本體20的兩個端部上。
這種晶片型熱敏電阻10的缺點(diǎn)在于,其電阻值會受到陶瓷本體20的電阻值及端電極11與12之間的間距影響,而且,這種晶片型熱敏電阻10的端電極11與12的間距相隔相當(dāng)距離,不易制成低電阻值產(chǎn)品。
生產(chǎn)時,這種熱敏電阻10的電阻值精度不易精確控制,且產(chǎn)品規(guī)格不能做成低電阻值產(chǎn)品,在應(yīng)用上不適合做成高精度的晶片型熱敏電阻。
2.另一種晶片型熱敏電阻15的結(jié)構(gòu)如圖2所示,主要是改良上述傳統(tǒng)晶片型熱敏電阻10的結(jié)構(gòu),在陶瓷本體20的前后上下四面披覆一層玻璃絕緣層14,使得這種熱敏電阻15的電阻值僅受到陶瓷本體20的電阻率與端部截面積的影響,不再受到端電極11與12的間距影響。但,這種熱敏電阻15的端電極11與12的間距仍相隔相當(dāng)距離,不易制成低電阻值產(chǎn)品。
生產(chǎn)時,這種熱敏電阻15的電阻值較容易精確控制,但產(chǎn)品規(guī)格仍不能做成低電阻值產(chǎn)品,在應(yīng)用上仍不適合做成高精度的晶片型熱敏電阻。
3.第三種晶片型熱敏電阻18的結(jié)構(gòu),如圖3所示,包含一對端電極11和12、一對內(nèi)電極16a和16b及一陶瓷本體20,且使用積層制作過程將所述內(nèi)電極16a與16b內(nèi)埋在該陶瓷本體20的中間,再將所述端電極11和12分別覆蓋在該陶瓷本體20的兩個端部上。其中,所述內(nèi)電極16a與16b是以面對面的方式位于相同平面高度,且所述內(nèi)電極16a與所述端電極11連接,所述內(nèi)電極16b與所述端電極12連接。
這種熱敏電阻18的電阻值大小僅與內(nèi)電極16a與16b的間距及內(nèi)電極16a與16b的重疊面積有關(guān)。
生產(chǎn)時,這種熱敏電阻18是以網(wǎng)版印刷技術(shù)來制作內(nèi)電極16a與16b,在相同尺寸規(guī)格下,通過調(diào)整這種熱敏電阻18的內(nèi)電極16a與16b的間距和/或重疊面積,可以精確地制作尺寸規(guī)格相同但電阻值不同的產(chǎn)品。但,這種熱敏電阻18缺點(diǎn)在于,產(chǎn)品的精度是取決于網(wǎng)版印刷的精度,要制作高精度的晶片型熱敏電阻產(chǎn)品相對較困難。
4.第四種晶片型熱敏電阻35的結(jié)構(gòu),如圖4所示,包含一對端電極11和12、一對表面電極19a和19b、一陶瓷本體20及一絕緣層30,且使用薄膜技術(shù)將所述表面電極19a與19b制作在該陶瓷本體20的表面上,再將所述端電極11和12分別覆蓋在該陶瓷本體20的兩個端部上。其中,所述表面電極19a與所述端電極11連接,所述表面電極19b與所述端電極12連接。最后,在所述表面電極19a與19b之間的間隙覆蓋上所述絕緣層30。
這種熱敏電阻35的電阻值大小,僅與表面電極19a與19b的間距有關(guān)。
生產(chǎn)時,這種熱敏電阻35是以薄膜技術(shù)制作所述表面電極19a與19b,通過精準(zhǔn)地控制所述表面電極19a與19b之間的間隙,可以精確地制作尺寸規(guī)格相同但電阻值不同的產(chǎn)品。但,這種熱敏電阻35的缺點(diǎn)在于,需要使用薄膜技術(shù)制作表面電極19a與19b,生產(chǎn)設(shè)備及生產(chǎn)成本相對較昂貴。
5.第五種晶片型熱敏電阻40的結(jié)構(gòu),如圖5所示,包含一對端電極11和12、多對內(nèi)電極21a和21b及一陶瓷本體20,且使用積層技術(shù)(multilayertechnology),將所述多個內(nèi)電極21a和21b以互相平行及交互連接端電極11和12的形式制作在該陶瓷本體20的內(nèi)部,再將所述端電極11和12分別覆蓋在該陶瓷本體20的兩個端部上。其中,每個內(nèi)電極21a與所述端電極11連接,每個內(nèi)電極21b與所述端電極12連接。
這種熱敏電阻40的電阻值大小,與內(nèi)電極21a與21b的間距、重疊面積及內(nèi)電極21a與21b間的厚度有關(guān)。
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