[發(fā)明專利]用于判決反饋均衡器的加法器的輸入控制電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910159910.3 | 申請日: | 2009-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN101635576A | 公開(公告)日: | 2010-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭永州 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/16 | 分類號: | H04B1/16;H04L25/03 |
| 代理公司: | 北京市德恒律師事務(wù)所 | 代理人: | 馬佑平;馬鐵良 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 判決 反饋 均衡器 加法器 輸入 控制電路 | ||
1、一種判決反饋均衡器(DFE)的加法器中的抽頭電路,所述抽頭電 路包括:
傳輸接收信號的差分對的第一和第二網(wǎng)絡(luò);
連接在第一節(jié)點(diǎn)和第一電源電壓之間的校正源,所述校正源具有與抽 頭權(quán)基本成比例的量級;
具有分別連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的源極和漏極的第一開 關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的源極和漏極的第二開 關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第一網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 三開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第二網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 四開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第一網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 五開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第二網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 六開關(guān)晶體管;
分別連接到所述第一和第二開關(guān)晶體管的柵極的第一和第二控制信 號,所述第一和第二控制信號彼此互補(bǔ);
連接到所述第三和第六開關(guān)晶體管的柵極的第三控制信號;以及
連接到所述第四和第五開關(guān)晶體管的柵極的第四控制信號,所述第四 控制信號與所述第三控制信號互補(bǔ)。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述抽頭電路,其中所述校正源為電流源。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述抽頭電路,其中所述第一和第二控制信號由 DFE電路生成,并且所述第三和第四控制信號由DFE邏輯電路生成。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述抽頭電路,其中所述第一和第二控制信號由 DFE邏輯電路生成,并且所述第三和第四控制信號由DFE電路生成。
5、一種判決反饋均衡器(DFE)的加法器中的抽頭電路,所述抽頭電 路包括:
傳輸接收信號的差分對的第一和第二網(wǎng)絡(luò);
連接在第一節(jié)點(diǎn)和第一電源電壓之間的電流源,所述電流源具有與抽 頭權(quán)基本成比例的量級;
具有分別連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的源極和漏極的第一開 關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的源極和漏極的第二開 關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第一網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 三開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第二網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 四開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第一網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 五開關(guān)晶體管;
具有分別連接在所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第二網(wǎng)絡(luò)之間的源極和漏極的第 六開關(guān)晶體管;
分別連接到所述第一和第二開關(guān)晶體管的柵極的第一和第二控制信 號,所述第一和第二控制信號彼此互補(bǔ);
連接到所述第三和第六開關(guān)晶體管的柵極的第三控制信號;以及
連接到所述第四和第五開關(guān)晶體管的柵極的第四控制信號,所述第四 控制信號與所述第三控制信號互補(bǔ)。
6、根據(jù)權(quán)利要求1或5所述抽頭電路,其中所述第一電源電壓為地。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述抽頭電路,其中所述第一到第六開關(guān)晶體管為 NOMS晶體管。
8、根據(jù)權(quán)利要求1或5所述抽頭電路,其中所述第一電源電壓為高壓 電源(VDD)。
9、根據(jù)權(quán)利要求8所述抽頭電路,其中所述第一到第六開關(guān)晶體管為 PMOS晶體管。
10、根據(jù)權(quán)利要求5所述抽頭電路,其中所述第一和第二控制信號由 DFE電路生成,并且所述第三和第四控制信號由DFE邏輯電路生成。
11、根據(jù)權(quán)利要求5所述抽頭電路,其中所述第一和第二控制信號由 DFE邏輯電路生成,并且所述第三和第四控制信號由DFE電路生成。
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