[發明專利]光吸收構件、加熱裝置、定影裝置及成像設備

無效

• 申請號: 200910159791.1
• 申請日: 2009-07-22
• 公開（公告）號: CN101644787A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 金大煥;金朱鎬;吳承真;崔善洛;金佑圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;G03G15/20;G03G15/01
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

技術領域

本發明涉及一種具有改善的熱效率的光吸收構件、采用該光吸收構件的加熱裝置、采用該加熱裝置的定影裝置(fixing?device)以及使用該定影裝置的成像設備。

背景技術

加熱裝置將熱施加到裝置的期望區域，具有廣泛的應用，例如作為成像設備的定影裝置中的熱源，成像設備包括例如利用光在感光介質上形成靜電圖像的電子照相成像設備(electrophotographic?image?forming?apparatus)等。

例如，在采用電子照相方法的這種成像設備中，在將感光鼓(photosensitive?drum)充電到基本均勻的電勢電位后，通過采用例如激光掃描單元(LSU)用光使感光鼓曝光，靜電潛像響應圖像信號而形成。然后，通過將帶電的調色劑供應到感光鼓以使靜電潛像顯影來形成調色劑圖像(toner?image)。如此顯影的調色劑圖像然后被轉移到記錄介質上。此時，轉移到記錄介質上的調色劑圖像只是處于記錄介質上，而沒有定影在記錄介質上，因此通過將熱和壓力施加到調色劑圖像來熱定影調色劑圖像，定影的調色劑圖像最終形成在記錄介質上。例如，在輥型定影裝置中，調色劑圖像已經轉移到其上的記錄介質被允許通過由加熱輥與壓力輥之間的擠壓接觸形成的輥隙(nip)，在以上期間置于記錄介質上的調色劑圖像被加熱輥加熱并同時被壓力輥擠壓，從而調色劑圖像永久地定影在記錄介質上。在之前的示例中，加熱輥是加熱裝置的示例，可以包括例如具有圓柱形狀的金屬輥和裝設在金屬輥里面的熱源(例如鹵素燈)。

發明內容

根據本發明的方面，提供了一種光吸收構件，該光吸收構件可以包括形成在基板上方的一個或多個吸收涂覆層。納米棒可以由從Ag、Au、Pt、Pd、Fe、Ni、Al、Sb、W、Tb、Dy、Gd、Eu、Nd、Pr、Sr、Mg、Cu、Zn、Co、Mn、Cr、V、Mo、Zr和Ba組成的組中選出的至少一種金屬形成。

多個納米棒中的第一個的第一高寬比(aspect?ratio)可以不同于與多個納米棒中的第二個相對應的第二高寬比。

根據另一方面，加熱裝置可以被設置為包括熱源以及吸收從該熱源發出的光的吸收構件，吸收構件包括其中分散有納米棒的吸收涂覆層。納米棒可以由從Ag、Au、Pt、Pd、Fe、Ni、Al、Sb、W、Tb、Dy、Gd、Eu、Nd、Pr、Sr、Mg、Cu、Zn、Co、Mn、Cr、V、Mo、Zr和Ba組成的組中選出的至少一種金屬形成。

吸收涂覆層可以包括多層，每層中包括一些納米棒。

由光源發出的光可以具有單一波長。每個納米棒可以具有這樣的高寬比，在該高寬比時吸收涂覆層對光的吸收率的峰值產生在從光源發出的光的單一波長處。

或者，由光源發出的光可以具有多個波長，其中的每個波長在一波長范圍內。納米棒可以具有多個高寬比，每個高寬比分別對應于多個峰值波長的相應一個，在峰值波長處納米棒對光的吸收率處于峰值。每個峰值波長可以在該波長范圍內。

根據另一方面，定影裝置可以被設置為包括光源、加熱裝置和壓力裝置。加熱裝置可以構造為吸收從光源發出的光并提供熱以將調色劑圖像熱定影在記錄介質上。加熱裝置可以包括其中分散有納米棒的吸收涂覆層。壓力裝置可以與加熱裝置擠壓接觸從而形成兩者之間的定影輥隙。

納米棒可以由從Ag、Au、Pt、Pd、Fe、Ni、Al、Sb、W、Tb、Dy、Gd、Eu、Nd、Pr、Sr、Mg、Cu、Zn、Co、Mn、Cr、V、Mo、Zr和Ba組成的組中選出的至少一種金屬形成。

吸收涂覆層可以包括多層，每層中包括一些納米棒。

由光源發出的光可以具有單一波長。每個納米棒可以具有一高寬比，在該高寬比，吸收涂覆層對光的吸收率的峰值產生在由光源發出的光的單一波長處。

或者，由光源發出的光可以具有多個波長，其中的每個波長在一波長范圍內。納米棒可以具有多個高寬比，每個高寬比分別對應于多個峰值波長中的相應一個，在峰值波長處納米棒對光的吸收率處于峰值。每個峰值波長可以在該波長范圍內。

加熱裝置可以包括具有圓柱形狀的加熱輥。

或者，加熱裝置可以包括加熱帶。

光源可以設置在加熱裝置外面。吸收涂覆層可以設置在加熱裝置的外部上且在來自光源的光的直接光路中。

吸收涂覆層可以包括分散在可釋放介質(releasable?medium)中的納米棒。

定影裝置還可以包括由可釋放材料形成的可釋放層。可釋放層可以布置為覆蓋吸收涂覆層。