[發(fā)明專利]光吸收構(gòu)件、加熱裝置、定影裝置及成像設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910159791.1
• 申請(qǐng)日: 2009-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN101644787A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金大煥;金朱鎬;吳承真;崔善洛;金佑圭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02B5/00
• 分類號(hào): G02B5/00;G03G15/20;G03G15/01
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張 波

1.一種光吸收構(gòu)件，包括：

形成在基板上方的一個(gè)或多個(gè)吸收涂覆層，所述一個(gè)或多個(gè)吸收涂覆層中的每個(gè)都具有分散在其中的多個(gè)納米棒。

2.如權(quán)利要求1所述的光吸收構(gòu)件，其中所述多個(gè)納米棒中的每個(gè)均由選自Ag、Au、Pt、Pd、Fe、Ni、Al、Sb、W、Tb、Dy、Gd、Eu、Nd、Pr、Sr、Mg、Cu、Zn、Co、Mn、Cr、V、Mo、Zr和Ba組成的組中的至少一種金屬形成。

3.一種加熱裝置，包括：

光源；以及

如權(quán)利要求1或2所述的光吸收構(gòu)件，所述光吸收構(gòu)件吸收從所述光源發(fā)射的光。

4.如權(quán)利要求3所述的加熱裝置，其中所述吸收涂覆層包括其中含有一些所述納米棒的單層。

5.如權(quán)利要求3所述的加熱裝置，其中所述吸收涂覆層包括多層，每層中包括一些所述納米棒。

6.如權(quán)利要求3到5中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其中從所述光源發(fā)出的光具有單一波長(zhǎng)，并且其中每個(gè)所述納米棒具有高寬比，在所述高寬比時(shí)所述吸收涂覆層對(duì)光的吸收率的峰值產(chǎn)生在從所述光源發(fā)出的光的所述單一波長(zhǎng)處。

7.如權(quán)利要求3到5中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其中從所述光源發(fā)出的光具有多個(gè)波長(zhǎng)，每個(gè)波長(zhǎng)在一波長(zhǎng)范圍內(nèi)，并且

其中所述納米棒具有多個(gè)高寬比，每個(gè)高寬比分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)峰值波長(zhǎng)的相應(yīng)一個(gè)，在所述峰值波長(zhǎng)處所述納米棒對(duì)光的吸收率處于峰值，每個(gè)所述峰值波長(zhǎng)在所述波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

8.一種定影裝置，包括：

光源；

如權(quán)利要求3到5中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，所述加熱裝置構(gòu)造為吸收從所述光源發(fā)出的光并提供熱以將調(diào)色劑圖像熱定影在記錄介質(zhì)上，所述加熱裝置包括吸收涂覆層，所述吸收涂覆層具有分散于其中的納米棒；以及

壓力裝置，與所述加熱裝置擠壓接觸從而形成兩者之間的定影輥隙。

9.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，所述加熱裝置包括加熱帶或具有圓柱形狀的加熱輥。

10.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，其中所述吸收涂覆層包括分散在可釋放介質(zhì)中的納米棒。

11.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，還包括：

由可釋放材料形成的可釋放層，所述可釋放層布置為覆蓋所述吸收涂覆層。

12.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，其中所述光源設(shè)置在所述加熱裝置外面，所述吸收涂覆層設(shè)置在所述加熱裝置的外部上且在來自所述光源的光的直接光路中。

13.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，其中所述光源設(shè)置在所述加熱裝置里面，所述吸收涂覆層設(shè)置在所述加熱裝置的內(nèi)部上且在來自所述光源的光的光路中。

14.如權(quán)利要求8所述的定影裝置，還包括：

導(dǎo)熱構(gòu)件，圍繞所述光源的至少一部分，所述吸收涂覆層設(shè)置在所述導(dǎo)熱構(gòu)件的面對(duì)所述光源的表面上。

15.一種成像設(shè)備，包括：

打印單元，構(gòu)造為將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)移到記錄介質(zhì)上；以及

如權(quán)利要求8所述的定影裝置，所述定影裝置構(gòu)造為從所述打印單元接收其上已經(jīng)轉(zhuǎn)移有所述調(diào)色劑圖像的所述記錄介質(zhì)并將所述調(diào)色劑圖像定影在所述記錄介質(zhì)上。