[發明專利]基底對準設備和基底處理設備無效
| 申請號: | 200910159687.2 | 申請日: | 2009-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN101640181A | 公開(公告)日: | 2010-02-03 |
| 發明(設計)人: | 長谷川雅己;金子一秋 | 申請(專利權)人: | 佳能安內華股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 張 濤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 對準 設備 處理 | ||
1.一種用于將基底與參考點對準的基底對準設備,該設備包括:
多個柱,其構造成繞與相應的軸向方向平行的旋轉軸線旋轉;
驅動機構,其構造成使所述多個柱沿相同方向同步地旋轉通過相同的角度;
檢測器,其構造成檢測所述基底從所述參考點偏離的位置偏差的量;以及
支撐銷,其位于所述多個柱的上表面上且同時與所述多個柱的相應的旋轉軸線間隔開,并且構造成支撐所述基底,
其中基于由所述檢測器檢測到的位置偏差的量,通過由所述驅動機構使所述多個柱沿相同方向同步地旋轉通過相同的角度,而使所述基底對準。
2.根據權利要求1所述的設備,其中
所述檢測器構造成檢測所述基底的運動方向和運動量L,并且
假定所述支撐銷在運動前和運動后的位置繞與所述運動方向垂直并且經過所述柱的旋轉中心的虛線是軸對稱的,通過使所述多個柱旋轉通過以下角度而使所述基底對準:
2θ=2sin-1(L/2R)
其中R是所述柱的旋轉軸線與所述支撐銷的中心之間的距離,并且θ是所述虛線與以下直線之間形成的角,所述直線經過所述支撐銷在運動前和運動后的中心之一以及所述柱的中心。
3.根據權利要求2所述的設備,其中在所述基底的對準之前,所述多個柱中的每個都旋轉到所述支撐銷在運動之前未支撐所述基底的情況下的位置,所述位置與所述虛線形成角θ。
4.根據權利要求1所述的設備,其中所述支撐銷具有半球形的遠端和圓錐形的遠端之一。
5.根據權利要求1所述的設備,其中所述支撐銷和所述柱二者都能自由地繞與所述支撐銷的軸向方向平行的旋轉軸線旋轉。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述支撐銷位于所述柱上的區域內。
7.根據權利要求1所述的設備,還包括:
基底支架,其構造成保持所述基底,以及
環狀蓋,其構造成防護所述基底支架,
其中所述多個柱位于所述基底支架的外部,并且所述環狀蓋構造成在支撐所述基底的同時根據所述多個柱的升起而升起,以便通過所述環狀蓋對準所述基底。
8.根據權利要求1所述的設備,還包括:
基底支架,其構造成保持所述基底,以及
環狀蓋,其構造成防護所述基底支架,
其中
所述多個柱位于所述基底支架的外部,
所述多個支撐銷能自由地繞與其軸向方向平行的旋轉軸線旋轉,并且所述多個柱能自由地繞與其軸向方向平行的旋轉軸線旋轉,以及
所述多個支撐銷連接至所述環狀蓋,所述環狀蓋構造成在支撐所述基底的同時根據所述多個柱的升起而升起,以便通過所述環狀蓋對準所述基底。
9.根據權利要求1所述的設備,還包括:
基底支架,其構造成保持所述基底,以及
環狀蓋,其構造成防護所述基底支架,
其中
所述多個柱位于所述基底支架的外部,
所述多個支撐銷相對于所述環狀蓋能自由地旋轉,
所述多個支撐銷連接至所述多個柱,以及
所述環狀蓋構造成在支撐所述基底的同時根據所述多個柱的升起而升起,以便通過所述環狀蓋對準所述基底。
10.一種基底處理設備,包括根據權利要求1所述的基底對準設備。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





