[發(fā)明專利]基底對準設備和基底處理設備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910159687.2 | 申請日: | 2009-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN101640181A | 公開(公告)日: | 2010-02-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 長谷川雅己;金子一秋 | 申請(專利權)人: | 佳能安內(nèi)華股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 張 濤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 對準 設備 處理 | ||
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種校正基底位置的基底對準設備以及基底處理設備。
背景技術
[0002]例如,專利文獻1(日本專利特開No.9-181151)說明了一種通過抵靠基底對鄰接銷機械加壓而校正基底位置的傳統(tǒng)方法,所述鄰接銷抵靠基底的外周邊表面。
[0003]專利文獻2(日本專利特開No.8-008328)說明了一種已知的晶片定位設備,當基底安裝在沿正交方向運動的X-Y臺架上時,所述設備校正基底的位置。
[0004]專利文獻3(日本專利特開No.2008-66367)說明了一種基底轉(zhuǎn)移設備,該設備在傳輸基底的傳輸臂與安裝基底的安裝臺之間轉(zhuǎn)移基底。專利文獻3中說明的設備繞安裝臺的支撐軸線布置,且在該設備與安裝臺之間有間距。該設備包括多個支撐銷和附裝支撐銷的基部,所述多個支撐銷在其下表面上支撐基底。該設備還包括豎直驅(qū)動裝置和水平驅(qū)動裝置,所述豎直驅(qū)動裝置用于豎直地驅(qū)動支撐銷通過基部以提升或降低基底,所述水平驅(qū)動裝置用于水平地驅(qū)動支撐銷通過基部以調(diào)節(jié)基底沿水平方向的位置。
[0005]根據(jù)專利文獻1的基底位置校正方法可能會產(chǎn)生顆粒,這是因為該方法例如通過抵靠基底的側(cè)表面(外周邊表面)來對鄰接銷加壓而機械地推動基底,以校正基底的位置。這種方法也造成以下問題:由于在壓靠鄰接銷的同時使基底運動,在該過程中基底的下表面在安裝基底的支撐銷上摩擦,經(jīng)常會產(chǎn)生顆粒。
[0006]雖然根據(jù)專利文獻2的晶片定位設備可以解決上述由于基底的摩擦而產(chǎn)生顆粒的問題,但是它需要X-Y臺架和沿X和Y方向的兩個驅(qū)動系統(tǒng),以便于驅(qū)動X-Y臺架。此外,因為必須確保繞X-Y臺架的給定空間,以便甚至當X-Y臺架沿水平方向(X和Y方向)平移時也不會發(fā)生干涉,所以該設備不適于容納在緊湊的空間中。
[0007]根據(jù)專利文獻3的基底轉(zhuǎn)移設備需要在安裝臺中形成間隙,以允許運動的支撐銷離開。如果在安裝臺內(nèi)部形成額外的間隙,所述安裝臺例如容納在使用等離子體執(zhí)行基底處理的基底處理設備中,則該設備會遇到與溫度分布和RF不均勻性相關聯(lián)的問題。同樣,如果與基底轉(zhuǎn)移和基底處理相關的包括上述部件的機構(gòu)安裝在真空室內(nèi)部,則這可能造成與安裝空間、滑潤劑和顆粒的散射、以及除氣有關的問題。
[0008]為了使支撐銷在真空中沿豎直方向和水平方向(即,X和Y方向)運動,則必須在大氣側(cè)上設置驅(qū)動系統(tǒng)并通過真空壁執(zhí)行這些運動。波紋管通常用于豎直運動。此時,當波紋管豎直地伸展/收縮而同時沿水平方向移位時,負荷施加到波紋管的焊接區(qū)上,導致基底轉(zhuǎn)移設備的壽命顯著縮短。
發(fā)明內(nèi)容
[0009]本發(fā)明的目的是提供一種可以抑制顆粒的產(chǎn)生、緊湊的、和/或具有較長壽命的基底對準設備和基底處理設備。
[0010]本發(fā)明的第一方面提供一種用于將基底與參考點對準的基底對準設備,該基底對準設備包括:多個柱,其構(gòu)造成繞與相應的軸向方向平行的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn);驅(qū)動機構(gòu),其構(gòu)造成將多個柱沿相同方向同步地旋轉(zhuǎn)通過相同的角度;檢測器,其構(gòu)造成檢測基底從參考點偏離的位置偏差的量;以及支撐銷,其位于多個柱的上表面上且同時與多個柱的相應的旋轉(zhuǎn)軸線間隔開,并且構(gòu)造成支撐基底,其中基于由檢測器檢測到的位置偏差的量,通過由驅(qū)動機構(gòu)使多個柱沿相同方向同步地旋轉(zhuǎn)通過相同的角度,而使基底對準。
[0011]本發(fā)明的第二方面提供一種基底處理設備,其包括以上定義的基底對準設備。
[0012]根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種基底對準裝置,該基底對準設備可以抑制顆粒的產(chǎn)生、是緊湊的、和/或具有較長的壽命,這是因為該設備在基底安裝在支撐銷上時通過旋轉(zhuǎn)支撐銷來校正基底的位置。
[0013]本發(fā)明的其它特征從以下參照附圖的典型實施例說明而變得清楚。
附圖說明
[0014]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的基底對準設備的透視圖;
[0015]圖2A至2H是用于解釋圖1中所示的基底對準設備的位置校正過程的視圖;
[0016]圖3是用于解釋基底位置偏差檢測方法的視圖;
[0017]圖4是用于解釋基底位置校正的視圖;
[0018]圖5是示出支撐銷驅(qū)動機構(gòu)的示例的視圖;
[0019]圖6是示出用于同步地旋轉(zhuǎn)三個柱的同步旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的示例的示意性透視圖;
[0020]圖7A至7D是示出支撐銷的示例的視圖;
[0021]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的基底對準設備的布置的透視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





