[發明專利]包括發光元件的器件有效
| 申請號: | 200910159447.2 | 申請日: | 2006-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN101599504A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發明(設計)人: | 早川昌彥;吉富修平;德丸亮 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 項 丹 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 發光 元件 器件 | ||
本發明專利申請是申請號為200610071996.0,申請日為2006年4月6 日,發明名稱為“顯示器件及使用其的電子器具”的發明專利申請的分案申 請。
技術領域
本發明涉及包括發光元件的器件。
背景技術
近年來,展開了對包括以EL(電致發光)元件為代表的發光元件的顯 示器件的開發。所述顯示器件被期待通過利用自發光型的優勢,例如高圖像 質量、寬視角、薄型、輕量等而期待廣泛的應用。發光元件的亮度與發光元 件的電流值成比例。
發光元件具有周圍溫度(以下稱為環境溫度)在高溫時電阻值則降低而 在低溫時電阻值則增加的特性。發光元件還具有根據隨時間變化,電阻值增 加的特性。因此,提出了一種抑制由發光元件的電阻值變動所造成的影響的 顯示器件,所述發光元件的電阻值變動由環境溫度的變化和隨時間變化引起 (例如,參見專利文獻1)。
專利文獻1中描述的顯示器件具有發光元件、監控用發光元件、恒流電 源以及緩沖放大器。恒定的電流從恒流電源供給給監控用發光元件。此外, 監控用發光元件的一個電極通過緩沖放大器與發光元件的一個電極連接。在 這種狀態下,當發生環境溫度的變化和隨時間變化時,監控用發光元件的一 個電極的電位改變,然后該電位傳達到發光元件的一個電極的電位。像這樣, 根據環境溫度的變化和隨時間變化來改變發光元件的一個電極的電位,可以 抑制發光元件的電阻值變動所造成的影響。
[專利文獻1]日本專利申請公開2002-333861號公報
發明內容
在上述專利文獻1中,如果發光元件和監控用發光元件的隨時間變化以 不同的速度進展,由隨時間變化所引起的發光元件和監控用發光元件的電阻 值的變化就不同,因此,不能正確地進行傳達到發光元件的電位(以下也稱 為電源電位)的校正。因此,本發明的目的在于提供一種顯示器件和電子器 具,所述顯示器件通過使用隨時間變化的進展速度相同的發光元件和監控用 發光元件,可以正確地進行傳達到發光元件的電位的校正。
本發明的顯示器件具有第一發光元件(相當于監控用發光元件)、第二 發光元件、將恒定的電流供給給第一發光元件的恒流電源、以及將輸入的電 位以相同的電位輸出的電路。第一發光元件的第一電極與電路的輸入端子連 接。第二發光元件的第一電極與電路的輸出端子連接。第一發光元件的第二 電極和第二發光元件的第二電極保持恒定的電位。
第一發光元件和第二發光元件各是由第一導電層、含有有機化合物和無 機化合物的第一層、含有發光物質的第二層以及第二導電層以此順序層疊而 成的元件。或者,第一發光元件和第二發光元件各是由第一導電層、含有發 光物質的第一層、含有有機化合物和無機化合物的第二層以及第二導電層以 此順序層疊而成的元件。
所述有機化合物為4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯、4,4’-雙[N- (3-甲基苯)-N-苯胺]聯苯、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺、4,4’,4” -三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺、4,4’-雙{N-[4-(N,N-二-m-甲苯基氨基) 苯基]-N-苯胺}聯苯、1,3,5-三[N,N-二(m-三苯基)氨基]苯、4,4’-雙[N-(4- 聯苯)-N-苯胺]聯苯、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺、3-[N-(9-苯基咔唑 -3-某基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、3,6-雙[N-(9-苯胺咔唑-3-某基)-N-苯胺]-9- 苯基咔唑、酞菁、銅鈦菁、釩氧酞菁或5,6,11,12-四苯基萘并萘(tetraphenyl naphthacene)(也稱作5,6,11,12-四苯基并四苯tetraphenyl?tetracene)。此外, 所述無機化合物為氧化鋯、氧化鉿、氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧 化鉬、氧化鎢、氧化鈦、氧化錳或氧化錸。
優選的是,所述有機化合物為4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯和 5,6,11,12-四苯基萘并萘(tetraphenyl?naphthacene),所述無機化合物為氧化 鉬。或者,所述有機化合物為4,4’-雙{N-[4-(N,N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N- 苯胺}聯苯,所述無機化合物為氧化鉬。
所述發光物質為選自N,N’-二甲基喹吖啶酮、3-(2-苯并噻唑酯)-7- 二乙胺香豆素、三(8-喹啉醇合)鋁以及9,10-二(2-萘基)蒽中的一種或多 種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





