[發明專利]包括發光元件的器件有效
| 申請號: | 200910159447.2 | 申請日: | 2006-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN101599504A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發明(設計)人: | 早川昌彥;吉富修平;德丸亮 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 項 丹 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 發光 元件 器件 | ||
1.一種顯示器件,包括:
第一發光元件;
第二發光元件;
將恒定的電流供給給所述第一發光元件的恒流電源;
放大器;
第一晶體管;
襯底;以及
相對襯底;
其中,所述第一發光元件的第一電極與所述放大器的輸入端子電連接,
所述第二發光元件的第一電極與所述放大器的輸出端子電連接,
所述第一發光元件的第二電極和所述第二發光元件的第二電極保持恒 定的電位,
所述第一發光元件和所述第二發光元件各具有形成在所述第一電極和 所述第二電極之間的第一層和第二層,
所述第一層含有有機化合物和無機化合物,
所述第二層含有發光物質,
所述第一發光元件、所述第二發光元件、所述恒流電源、以及所述放大 器置于所述襯底與所述相對襯底之間,
所述第一晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一發光元件的第一電 極電連接,
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述放大器的輸入端子電 連接。
2.一種顯示器件,包括:
第一發光元件;
第二發光元件;
將恒定的電流供給給所述第一發光元件的恒流電源;
放大器;
第一晶體管;
構造為控制所述第二發光元件的第二晶體管;
襯底;以及
相對襯底;
其中,所述第一發光元件的第一電極與所述放大器的輸入端子電連接,
所述第二發光元件的第一電極與所述放大器的輸出端子電連接,
所述第一發光元件的第二電極和所述第二發光元件的第二電極保持恒 定的電位,
所述第一發光元件和所述第二發光元件各具有形成在所述第一電極和 所述第二電極之間的第一層和第二層,
所述第一層含有有機化合物和無機化合物,
所述第二層含有發光物質,
所述第一發光元件、所述第二發光元件、所述恒流電源、所述放大器、 所述第一晶體管、以及所述第二晶體管置于所述襯底與所述相對襯底之間,
所述第一晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一發光元件的第一電 極電連接,
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述放大器的輸入端子電 連接。
3.根據權利要求1或2所述的顯示器件,其特征在于,所述有機化合 物為4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯、4,4’-雙[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]聯苯、 4,4’,4”-三[N,N-二苯胺)三苯胺、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺、 4,4’-雙{N-[4-(N,N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯胺}聯苯、1,3,5-三[N,N-二(m- 三苯基)氨基]苯、4,4’-雙[N-(4-聯苯)-N-苯胺]聯苯、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯 胺、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、3,6-雙[N-(9-苯胺咔唑-3- 基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、酞菁、銅鈦菁、釩氧酞菁或5,6,11,12-四苯基萘并 萘。
4.根據權利要求1或2所述的顯示器件,其特征在于,所述無機化合 物為氧化鋯、氧化鉿、氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、 氧化鈦、氧化錳或氧化錸。
5.根據權利要求1或2所述的顯示器件,其特征在于,所述發光物質 為選自N,N’-二甲基喹吖啶酮、3-(2-苯并噻唑酯)-7-二乙胺香豆素、三(8-喹 啉醇合)鋁、以及9,10-二(2-萘基)蒽中的一種或多種。
6.根據權利要求1或2所述的顯示器件,其特征在于,所述第一層和 所述第二層是層疊而成的,并且所述第一層提供在所述第二層上。
7.根據權利要求1或2所述的顯示器件,其特征在于,所述第一層和 所述第二層是層疊而成的,并且所述第二層提供在所述第一層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





