[發明專利]封裝件及其制造方法有效
| 申請號: | 200910159289.0 | 申請日: | 2009-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN101714532A | 公開(公告)日: | 2010-05-26 |
| 發明(設計)人: | 金炯魯 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/12;H01L21/50 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種封裝件,包括:
一導電層,具有一芯片承座且包括數條走線,所述走線的路徑平行于該芯片承座的上表面,所述走線具有一走線上表面及一走線下表面;
一芯片,設置于該承座的上表面上,該芯片具有數個接墊;
數個第一焊墊,對應地形成于該些走線上表面;
數條焊線,電性連接該些接墊與該些第一焊墊;以及
一封膠,包覆該導電層、該些第一焊墊、該芯片及該些焊線,并裸露該導電層的下表面;
其中,該導電層突出于該封膠的底面。
2.如權利要求1所述的封裝件,更包括:
一第一絕緣層,形成于該些走線上表面,該第一絕緣層裸露出該些第一焊墊。
3.如權利要求1所述的封裝件,更包括:
數個第二焊墊,對應地形成于該些走線下表面。
4.如權利要求3所述的封裝件,更包括:
一第二絕緣層,形成于該些走線下表面,該第二絕緣層裸露出該些第二焊墊。
5.一種封裝件的制造方法,包括:
提供一載體;
形成一線路圖案層于該載體的一載體上表面;
形成一導電層于該載體上,該導電層與該線路圖案層互補,該導電層具有一芯片承座且包括數條走線,所述走線的路徑平行于該芯片承座的一承座的上表面,所述走線具有一走線上表面及一走線下表面;
對應地形成數個第一焊墊于該些走線上表面;
設置一芯片于該承座的上表面上,該芯片具有數個接墊;
以數條焊線電性連接該些接墊與該些第一焊墊;
以一封膠包覆該導電層、該些第一焊墊、該芯片及該些焊線;以及
移除該載體與該線路圖案層,以裸露出導電層的下表面,該導電層突出于該封膠的底面。
6.如權利要求5所述的制造方法,其中于形成該線路圖案層的該步驟與形成該導電層的該步驟之間,該制造方法更包括:
形成一有機薄膜于該載體上及該線路圖案層上。
7.如權利要求5所述的制造方法,其中形成該些第一焊墊的該步驟包括:
形成一鎳層于該些走線上;以及
形成一金層于該鎳層上。
8.如權利要求5所述的制造方法,更包括:
對應地形成數個第二焊墊于該載體上。
9.如權利要求8所述的制造方法,其中形成該些第二焊墊的該步驟包括:
形成一金層于該載體上;以及
形成一鎳層于該金層上。
10.如權利要求8所述的制造方法,其中于移除該載體的該步驟后,該制造方法更包括:
形成一第二絕緣層于該些走線下表面,該第二絕緣層裸露出該些第二焊墊。
11.如權利要求5所述的制造方法,其中于形成該線路圖案層的該步驟及形成該導電層的該步驟之間,該制造方法更包括:
形成一第二絕緣層于該載體上。
12.如權利要求5所述的制造方法,其中于形成該導電層的該步驟后,該制造方法更包括:
形成一第一絕緣層于該些走線上表面,該第一絕緣層裸露出該些第一焊墊。
13.如權利要求5所述的制造方法,其中于移除該載體與該線路圖案層的該步驟采用一剝離方式完成。
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