[發明專利]抗靜電處理的工作臺有效
| 申請號: | 200910159251.3 | 申請日: | 2009-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN101853800A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 金原南;吳尚根 | 申請(專利權)人: | 塔工程有限公司;拓普納諾斯株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗靜電 處理 工作臺 | ||
相關申請
本申請根據35U.S.C.§119(a)要求2009年3月31日提交的韓國專利申請10-2009-0027521的優先權,通過引用將其全部內容并入本文。
技術領域
本文涉及抗靜電處理的工作臺,并且更具體涉及使得平坦工件能夠安裝在其上并且保護工件免受靜電的抗靜電處理的工作臺。
背景技術
提供用于半導體制造設備的工作臺以允許在其上安裝晶片基材,并且該工作臺通常由金屬形成。在使用該工作臺的半導體制造設備中,當處理器控制并移動晶片基材以在工作臺上定位晶片基材時,在工作臺和晶片基材之間產生靜電。
此外,在FPD(平板顯示器)的分配器中使用的工作臺通過常規的真空抽吸方案來使顯示器基材保持在適當位置。在這種情況下,由于工作臺也是使用金屬制造的,所以當顯示器基材通過抽吸移動進入工作臺或者與工作臺分離時,在工作臺中產生靜電,因此顯示器基材變得帶有靜電。近來,顯示器基材的尺寸已經增加,使得靜電的量增加。結果,這樣的靜電問題變得越來越突出。
在晶片基材和顯示器基材上設置多個電子元件例如半導體器件。因此,如果產生靜電,那么靜電施加于電子元件,然后傳輸至電子元件的內電路。因此,嚴重影響電子元件的可靠性。此外,由于帶有靜電,所以顆粒被吸引到基材或者當基材抬升時基材可受到破壞。
在相關技術中,為了防止產生靜電,在工作臺上安裝電離源,由此中和靜電。然而,如果沒有將工作臺抬升,那么電離源的離子風未達到基材。此外,即使將基材抬升,如果需要中和的基材在離子風達到基材之前放電,那么由工作臺和基材之間瞬間產生的靜電所導致的問題沒有得到解決。
為了解決上述問題,對工作臺實施被稱為特氟隆(Teflon)涂覆工藝的氟樹脂涂覆工藝,由此防止在其中產生靜電。由于氟樹脂具有對其它材料的低吸附能、非粘附性能和低的摩擦系數,所以在分離氟樹脂涂層和玻璃基材期間產生的靜電量減小。
通常,由于氟具有絕緣性能,所以帶電材料需要輸入到特氟隆涂層中。即,在工作臺已經進行了陽極化處理之后,對工作臺實施特氟隆涂敷,從而防止在工作臺中產生靜電。
然而,特氟隆涂敷方法上花費的制造成本相對高。特別是在分配器情況下,由于顯示器基材最近變得更大,工作臺的尺寸也需要增加,因此工作臺的制造成本進一步增加。
此外,由于氟的硬度低,所以包含氟的涂層膜的硬度低,使得涂層膜上容易引起刮痕。因此,涂層膜的具有刮痕的部分不能保持預定水平的平坦度。此外,產生松散的顆粒。
此外,由于氟具有絕緣性能,所以需要加入填料例如炭黑或導電聚合物,以使得特氟隆涂層具有適合于抗靜電功能的預定方塊電阻。然而,炭黑為球形,因此引起灰塵。此外,導電聚合物的耐溶劑性弱,需要過量的粘合劑,并難以形成薄膜。
發明內容
以下描述涉及工作臺,其中在工作臺相對于基材的接觸表面上產生的靜電最小化,工作臺的制造成本降低,工作臺的方塊電阻(sheet?resistance)調節為足夠的水平,工作臺和基材之間的摩擦系數降低并且工作臺耐磨性得到改善。
根據一個示例性方面,提供一種抗靜電處理的工作臺,其具有臺體和碳納米管涂層膜。碳納米管涂層膜的方塊電阻為約105Ω/□至約109Ω/□。
如果在工作臺的臺體上涂敷主要包含具有導電性能的碳納米管的涂層膜,那么涂層膜具有低的方塊電阻,使得基材可靠性得到改善。
此外,通過使用包含碳納米管的涂層膜來實施涂敷,使得工作臺的制造成本降低。
此外,由于碳納米管具有獨特的物理性能,所以碳納米管涂層膜具有低摩擦系數和高耐磨性。因此,不會引起或者難以引起刮痕,所以極少產生松散的顆粒。
通過以下描述、附圖和權利要求,其它的目的、特征和優勢將變得明顯。
附圖說明
圖1是顯示根據一個示例性實施方案的具有抗靜電處理的工作臺的漿料分配器(paste?dispenser)的透視圖;
圖2是顯示圖1的工作臺的上側的截面圖;
圖3是顯示圖2的部分‘A’的放大的截面圖;
圖4是顯示圖3的一個替代實施例的視圖;和
圖5是顯示圖2的一個替代實施例的截面圖。
在整個附圖和詳述中通過相同附圖標記來表示相同的元件、特征和結構,并且為清楚和方便起見,附圖中一些元件的尺寸和比例可放大。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





