[發明專利]抗靜電處理的工作臺有效
| 申請號: | 200910159251.3 | 申請日: | 2009-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN101853800A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 金原南;吳尚根 | 申請(專利權)人: | 塔工程有限公司;拓普納諾斯株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗靜電 處理 工作臺 | ||
1.一種工作臺,其涂敷有抗靜電材料并進行了抗靜電處理,所述工作臺包括:
臺基底,在所述臺基底的至少一個表面上安裝有晶片基材或顯示器基材,所述至少一個表面由導電材料形成;和
在所述臺基底的所述至少一個表面上涂敷的包含碳納米管的碳納米管涂層膜,防止在所述基材和所述臺基底之間產生靜電。
2.根據權利要求1所述的工作臺,其中所述碳納米管涂層膜的方塊電阻為約105Ω/□至約109Ω/□。
3.根據權利要求1所述的工作臺,其中所述碳納米管涂層膜還包括丙烯酰基類粘合劑、聚氨酯系粘合劑、聚酯系粘合劑、環氧樹脂系粘合劑、聚酰亞胺系粘合劑、三聚氰胺系粘合劑、導電聚合物系粘合劑或者有機/無機雜化物系粘合劑。
4.根據權利要求1所述的工作臺,其中粘合促進層設置在所述臺基底和所述碳納米管涂層膜之間,和
所述粘合促進層由屬于羧酸類、酸酐類和膦酸類中的至少一種的單體、低聚物或者聚合物形成。
5.根據權利要求1所述的工作臺,其中在所述碳納米管涂層膜的外表面上形成有保護層,和
所述保護層包括無機物質、有機單體化合物、有機聚合物化合物、有機雜化材料或無機雜化材料。
6.根據權利要求1至5中之一所述的工作臺,所述工作臺用于分配器設備并且在所述工作臺上安裝有將進行分配工藝處理的基材。
7.根據權利要求6所述的工作臺,其中所述碳納米管涂層膜通過所述臺基底接地。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





