[發(fā)明專利]引線框架的電鍍方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910154585.1 | 申請日： | 2009-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN101707185A | 公開（公告）日： | 2010-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭康定;鄧道斌;馬葉軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波康強電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;C25D9/02 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所 33228 | 代理人： | 高輝 |
| 地址： | 315105 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 引線 框架 電鍍 方法 | ||
1.一種引線框架的電鍍方法，其特征在于：它包括以下步驟：
①.準(zhǔn)備濕菲林溶液(5)，所述的濕菲林溶液(5)的濃度為55％～75％；
②.將引線框架(1)接上導(dǎo)線后，放入濕菲林溶液(5)中進(jìn)行電鍍，電鍍時間為10～15秒，溫度為40℃～60℃，電鍍后引線框架(1)的四周表面均被鍍上菲林膜層(6)；
③.將電鍍后的引線框架(1)用清水進(jìn)行清洗，并烘干，烘干溫度為90℃～110℃，時間為30～90秒；
④.對烘干后的引線框架(1)進(jìn)行曝光，曝光要求在無塵的環(huán)境下進(jìn)行，曝光時間為15～25秒，光照強度為300～1200MJ，環(huán)境溫度為15℃～45℃；
⑤.對曝光后的引線框架(1)進(jìn)行顯影，顯影時間為120～180秒，顯影后用清水沖洗并晾干；
⑥.將步驟⑤處理完的引線框架(1)接上導(dǎo)線后，放入電鍍液中進(jìn)行電鍍，完成后使用清水進(jìn)行清洗并晾干；
⑦.對電鍍完的引線框架(1)進(jìn)行退膜處理，噴灑去膜水去除菲林膜層(6)，噴灑時間150～450秒，溫度為50℃～70℃；
⑧.將步驟⑦處理完的引線框架(1)用清水清洗完，并晾干即可。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
