[發(fā)明專利]引線框架的電鍍方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910154585.1
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN101707185A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭康定;鄧道斌;馬葉軍
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;C25D9/02
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所 33228
• 代理人: 高輝

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種引線框架的制造方法，特別是涉及一種表面局部電鍍的引線框架的電鍍方法。

背景技術(shù)：

集成電路的引線框架(比如行業(yè)通用型號QFN--方型扁平無引腳封裝、QFP--四側(cè)引腳扁平封裝等)是制造集成電路半導(dǎo)體元件的基本部件。為滿足制造集成電路半導(dǎo)體元件的需求，集成電路的引線框架表面的局部區(qū)域需電鍍金屬銀或鎳鈀金，其余部分不要求有鍍層，否則無法滿足制造集成電路半導(dǎo)體元件的需求，所以集成電路引線框架進(jìn)行電鍍時(shí)需要用電鍍掩膜對其表面不需要進(jìn)行電鍍的部分進(jìn)行保護(hù)。現(xiàn)有技術(shù)集成電路引線框架的電鍍方法(如圖1所示的工序圖)為：貼干膜；曝光；顯影；電鍍；退干膜，而這種電鍍方法采用全涂干膜加曝光和顯影的工藝步驟，來形成電鍍掩膜，但是由于干膜的價(jià)格較高，且在工藝過程中需要在集成電路引線框架的表面全貼干膜，在進(jìn)行曝光顯影去掉需電鍍區(qū)對應(yīng)的干膜，則干膜的用量大，所以電鍍的成本很高，不利于引線框架的批量生產(chǎn)；同時(shí)由于引線框架的側(cè)邊無法進(jìn)行貼干膜，電鍍時(shí)容易被鍍上鍍層，這就容易造成電路的短路，導(dǎo)致成品率較低。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的是為解決以上技術(shù)問題，提供一種電鍍成本較低，有利于批量生產(chǎn)且成品率高的引線框架的電鍍方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種引線框架的電鍍方法，它包括以下步驟：

①.準(zhǔn)備濕菲林溶液，所述的濕菲林溶液的濃度為55％～75％；

②.將引線框架接上導(dǎo)線后，放入濕菲林溶液中進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)間為10～15秒，溫度為40℃～60℃，電鍍后引線框架的四周表面均被鍍上菲林膜層；

③.將電鍍后的引線框架用清水進(jìn)行清洗，并烘干，烘干溫度為90℃～110℃，時(shí)間為30～90秒；

④.對烘干后的引線框架進(jìn)行曝光，曝光要求在無塵的環(huán)境下進(jìn)行，曝光時(shí)間為15～25秒，光照強(qiáng)度為300～1200MJ，環(huán)境溫度為15℃～45℃；

⑤.對曝光后的引線框架進(jìn)行顯影，顯影時(shí)間為120～180秒，顯影后用清水沖洗并晾干；

⑥.將步驟⑤處理完的引線框架接上導(dǎo)線后，放入電鍍液中進(jìn)行電鍍，完成后使用清水進(jìn)行清洗并晾干；

⑦.對電鍍完的引線框架進(jìn)行退膜處理，噴灑去膜水去除菲林膜層，噴灑時(shí)間150～450秒，溫度為50℃～70℃；

⑧.將步驟⑦處理完的引線框架用清水清洗完，并晾干即可。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明由于在引線框架電鍍金屬層前使用了電鍍菲林來對引線框架進(jìn)行掩膜處理，這就使得引線框架的側(cè)邊也被鍍上了掩膜，則在曝光顯影后進(jìn)行的電鍍金屬層時(shí)就無法將金屬鍍層鍍上引線框架的側(cè)邊，保證引線框架的電鍍質(zhì)量；同時(shí)菲林的價(jià)格要低于干膜的價(jià)格。因此本發(fā)明電鍍成本較低，有利于批量生產(chǎn)且成品率高。

附圖說明：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)引線框架的電鍍方法的工序示意圖。

圖2為本發(fā)明引線框架的電鍍方法的工序示意圖。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合具體實(shí)施實(shí)例說明，但本發(fā)明不僅限于以下具體實(shí)施實(shí)例：

實(shí)施例1

①.準(zhǔn)備濕菲林溶液5，所述的濕菲林溶液5的濃度為55％，菲林是美國羅門哈斯公司生產(chǎn)的型號為EAGLE^TM?2100?ED?PHOTORESIST；

②.將引線框架1接上導(dǎo)線后，如圖2(a)所示放入濕菲林溶液5中進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)間為10～12秒，溫度為40℃～50℃，如圖2(b)所示電鍍后引線框架1的四周表面均被鍍上菲林膜層6；

③.將電鍍后的引線框架1用清水進(jìn)行清洗，并烘干，烘干在常規(guī)的鋸爐中進(jìn)行，烘干溫度為90℃～100℃，時(shí)間為80～90秒；

④.對烘干后的引線框架1進(jìn)行曝光，曝光要求在無塵的環(huán)境下進(jìn)行，如圖2(c)所示曝光時(shí)在引線框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上設(shè)有遮光部3a，遮光部3a用遮擋曝光時(shí)的光線防止對應(yīng)的菲林膜層6曝光，曝光時(shí)間為20～25秒，光照強(qiáng)度為300～1200MJ，環(huán)境溫度為15℃～25℃；

⑤.對曝光后的引線框架1進(jìn)行顯影，顯影時(shí)間為120～140秒，顯影后用清水沖洗并晾干，顯影液是美國羅門哈斯公司生產(chǎn)的型號為EAGLE^TM?2005?DEVELOPER，則如圖2(d)所示，可以除去菲林膜層6未被光線照射到的部分，達(dá)到精密掩膜的目的；