[發明專利]雙屏蔽礦物絕緣電纜及其制造方法

有效

• 申請號: 200910153535.1
• 申請日: 2009-10-02
• 公開（公告）號: CN101673598A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 羅才謨
• 申請（專利權）人: 久盛電氣股份有限公司
• 主分類號: H01B11/18
• 分類號: H01B11/18;H01B3/10;H01B7/22;H01B13/016
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所（普通合伙）
• 代理人: 趙衛康

技術領域

本發明涉及一種雙屏蔽礦物絕緣電纜，主要應用于高環境溫度、 高輻射場合的高頻信號傳輸領域，如冶金、醫療、航空航天、軍事等 的通信領域。

背景技術

現有的雙屏蔽電纜由內導體、絕緣介質、外導體和護套4部分組 成。內導體通由一根實心導體構成；絕緣介質通常采用聚乙烯、聚 丙烯、聚氯乙烯和氟塑料等，最常用的絕緣介質是損耗小、工藝性能 好的聚乙烯；外導體有雙重作用，它既為傳輸回路中的一根導線，又 具有屏蔽作用；外護套通常采用聚乙烯。由于結構和材料的原因，使 得該電纜的使用環境受到限制，比如使用條件為70℃以下，而且使 用一段時間后，會由于材料老化，導體電阻變大，絕緣介質的漏電流 增加；外護套為聚乙烯材料，機械強度低，電纜變形后會破壞其對稱 性和特性阻抗，使信號在傳輸中受到影響，該電纜的使用壽命不長。

發明內容

本發明的目的是提供一種可替代現有雙屏蔽電纜的一種雙屏蔽 礦物絕緣電纜，它同樣由內導體、內絕緣介質、外導體、外絕緣介質 和護套5部分組成，由于它將有機材料全部替換為無機材料極大地提 高了抵抗周圍損壞因子的能力，不僅使用壽命得到極大提高，而且使 用場合、使用領域也得到拓展。

本發明的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：

一種雙屏蔽礦物絕緣電纜，由內到外依次包括內導體、絕緣介質、 外導體、絕緣介質和護套，其特征在于：所述絕緣介質為氧化鎂、氧 化鋁或二氧化硅。

本發明上述技術方案中，絕緣介質為氧化鎂、氧化鋁或二氧化硅。 這類無機材料比起現有技術的有機材料具有耐高溫、耐氧化、耐老化、 強度高等優越性能。上述技術方案的實施使得本發明產品相比現有的 產品具有質的飛躍，不僅使用壽命更長而且使用范圍廣，涉及到了冶 金、醫療、航空航天、軍事等通信領域。

作為優選，所述內導體為銅芯線；所述絕緣介質為氧化鎂；所述 外導體為銅管；所述護套為銅管、不銹鋼管、銅鎳合金管或高溫合金 鋼管。

金屬銅作為導體是因為它的導電性能與價格的性價比在所有金 屬中最高，金屬銅作為導體也是最為普遍的；氧化鎂作為絕緣介質比 氧化鋁或二氧化硅性能更佳；外導體是輸電回路的組成部分，同時又 對內導體起到屏蔽作用；為了滿足在特殊場合使用的需要如高溫高壓 等，護套采用銅管、不銹鋼管、銅鎳合金管或高溫合金鋼管。

作為優選，所述銅芯線僅有一個。

本發明的另一個目的是提供一種上述雙屏蔽礦物絕緣電纜的制 造方法，包括以下步驟：

①內外絕緣層的壓制和燒結：將造粒好的氧化鎂粉或氧化鋁粉或 二氧化硅粉送入干粉壓機裝料筒進行壓制成(a)內絕緣氧化鎂瓷柱 或氧化鋁瓷柱或二氧化硅瓷柱和(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或氧化鋁瓷 柱或二氧化硅瓷柱，將壓制合格的(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或氧化鋁 瓷柱或二氧化硅瓷柱和(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或氧化鋁瓷柱或二氧 化硅瓷柱燒結后出爐冷卻待用；

②內屏蔽絕緣導體裝配、拉拔和退火：將燒結后的(a)內絕緣 氧化鎂瓷柱或氧化鋁瓷柱或二氧化硅瓷柱置入清潔銅管內，然后將清 潔銅棒穿入燒結后的(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或氧化鋁瓷柱或二氧化 硅瓷柱的預制孔中裝配成內屏蔽絕緣導體坯料，隨后對所述內屏蔽絕 緣導體坯料進行拉拔制得半成品，拉拔過程中需對所述內屏蔽絕緣導 體坯料進行退火處理；

③內屏蔽絕緣導體檢測：對經上述步驟得到的半成品進行電氣性 能檢測，合格后進入下道工序；

④護套裝配、拉拔和退火：將步驟①所述的燒結后的(b)外絕 緣氧化鎂瓷柱或氧化鋁瓷柱或二氧化硅瓷柱置入清潔銅管內，然后將 經步驟③檢測合格的半成品置入本步驟所述的(b)外絕緣氧化鎂瓷 柱或氧化鋁瓷柱或二氧化硅瓷柱的預制孔中，裝配成雙屏蔽電纜坯 料，然后對所述雙屏蔽絕緣坯料進行拉拔至成品，拉拔過程中需對所 述的雙屏蔽電纜坯料進行退火；

⑤成品檢測：對成品的電纜的外觀、外徑、芯線直徑及電氣性能 進行檢測。

作為優選，步驟①中燒結的溫度為1080℃，燒結時間為2小時， 冷卻至120℃；步驟②中的清潔銅管的外徑為30mm，清潔銅棒的直徑 為5.2mm，所述半成品的外徑為5.7mm；步驟④中的清潔銅管的外徑 為22mm，所述成品的外徑為5.0mm。

綜上所述，本發明具有以下有益效果：

1、本發明雙屏蔽礦物絕緣電纜相比現有的雙屏蔽電纜具有壽命 更長而且使用范圍更廣的優點；