[發明專利]雙屏蔽礦物絕緣電纜及其制造方法有效
| 申請號： | 200910153535.1 | 申請日： | 2009-10-02 |
| 公開（公告）號： | CN101673598A | 公開（公告）日： | 2010-03-17 |
| 發明（設計）人： | 羅才謨 | 申請（專利權）人： | 久盛電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01B11/18 | 分類號： | H01B11/18;H01B3/10;H01B7/22;H01B13/016 |
| 代理公司： | 湖州金衛知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人： | 趙衛康 |
| 地址： | 313000浙江省湖*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙屏 礦物 絕緣 電纜 及其 制造 方法 | ||
1.雙屏蔽礦物絕緣電纜的制造方法，包括以下步驟：
①內外絕緣層的壓制和燒結：將造粒好的氧化鎂粉或氧化鋁粉或二氧化硅粉送入干粉壓機裝料筒，壓制成(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或內絕緣氧化鋁瓷柱或內絕緣二氧化硅瓷柱和(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或外絕緣氧化鋁瓷柱或外絕緣二氧化硅瓷柱，將壓制合格的(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或內絕緣氧化鋁瓷柱或內絕緣二氧化硅瓷柱和(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或外絕緣氧化鋁瓷柱或外絕緣二氧化硅瓷柱燒結后出爐冷卻待用；
②內屏蔽絕緣導體裝配、拉拔和退火：將燒結后的(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或內絕緣氧化鋁瓷柱或內絕緣二氧化硅瓷柱置入第一清潔銅管內，然后將清潔銅棒穿入燒結后的(a)內絕緣氧化鎂瓷柱或內絕緣氧化鋁瓷柱或內絕緣二氧化硅瓷柱的預制孔中裝配成內屏蔽絕緣導體坯料，隨后對所述內屏蔽絕緣導體坯料進行拉拔制得半成品，拉拔過程中需對所述內屏蔽絕緣導體坯料進行退火處理；
③內屏蔽絕緣導體檢測：對經上述步驟得到的半成品進行電氣性能檢測，合格后進入下道工序；
④護套裝配、拉拔和退火：將步驟①所述的燒結后的(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或外絕緣氧化鋁瓷柱或外絕緣二氧化硅瓷柱置入第二清潔銅管內，然后將經步驟③檢測合格的半成品置入本步驟所述的(b)外絕緣氧化鎂瓷柱或外絕緣氧化鋁瓷柱或外絕緣二氧化硅瓷柱的預制孔中，裝配成雙屏蔽電纜坯料，然后對所述雙屏蔽電纜坯料進?行拉拔至成品，拉拔過程中需對所述的雙屏蔽電纜坯料進行退火；
⑤成品檢測：對成品的電纜的外觀、外徑、芯線直徑及電氣性能進行檢測；
并且，步驟①中燒結的溫度為1080℃，燒結時間為2小時，冷卻至120℃；步驟②中的第一清潔銅管的外徑為30mm，清潔銅棒的直徑為5.2mm，所述半成品的外徑為5.7mm；步驟④中的第二清潔銅管的外徑為22mm，所述成品的外徑為5.0mm。?
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